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CAMPUS ARAPIRACA
CURSO DE QUMICA LICENCIATURA
ARAPIRACA-AL
2017
LUIS EDUARDO PEREIRA BRS
MARCELO CAPISTRANO COSTA
ROBERTA RAYLINE FERREIRA DOS SANTOS
ARAPIRACA-AL
2017
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Sumrio
1. INTRODUO ................................................................................................................. 4
2. OBJETIVOS ...................................................................................................................... 5
4. PROCEDIMENTOS ......................................................................................................... 6
6. CONCLUSO ................................................................................................................. 10
7. REFRENCIAS .............................................................................................................. 11
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1. INTRODUO
A voltametria cclica nada mais do que um mtodo eletroanaltico. Tal tcnica empregada
para o estudo de espcies qumicas eletroativas em soluo, pois possvel monitorar o
comportamento redox de espcies qumicas em soluo em uma ampla faixa de potencial. A
voltametria necessita da medida da corrente em funo do potencial aplicado em um eletrodo
mergulhado numa soluo contendo espcies eletroativas de uma clula eletroqumica. Na
voltametria cclica, a clula eletroqumica composta por trs eletrodos, eletrodo de trabalho,
que pode ser composto por platina, carbono e ouro, o eletrodo de referncias, que tem seu
potencial constante durante o experimento, e o contra eletrodo. Os trs eletrodos so
conectados em um potenciostato, figura 1.
Seguindo uma programao definida por um gerador de funes, o eletrodo de trabalho tem
sua voltagem variada sistematicamente enquanto que uma resposta da corrente medida. A
corrente medida gera um voltamograma e, a partir dele possvel obter informaes em
relao ao comportamento eletroqumico da espcie que ser estudada. Na varredura cclica
de potencial, figura 2, possvel observar determinados intervalos de potenciais onde ocorre
reao de transferncia de eltrons, reduzindo ou oxidando uma espcie eletroativa na
interface.
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Figura 2. Voltamograma cclico resultante de perturbao.
2. OBJETIVOS
3. MATERIAIS NECESSRIOS
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4. PROCEDIMENTOS
5. RESULTADOS E DISCUSSO
10mV/s
50mV/s
300 100mV/s
200mV/s
500mV/s
200
100
Corrente mA
-100
-200
-300
-400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
Potencial (mV)
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Compreendem-se as reaes na superfcie do eletrodo de platina atentando-se para
as seguintes definies de corrente: (I) produzida nos diferentes potenciais (E) indicados
pelas regies de 1 5 no grfico acima. Pode-se dividir as reaes apontadas em 3
reas: rea I (Regies 1 e 5), nesta rea (e consequentemente nesta faixa de voltagem),
h a oxidao (Regio 1 corrente andica) e reduo (Regio 5 corrente catdica)
dos tomos de hidrognio adsorvidos na superfcie do eletrodo de platina; rea II
(Regio 2): A regio de corrente constante, isto , sem picos acima ou abaixo indica que
no ocorrem processos superficiais especficos, mas apenas o processo de carga da
dupla camada eltrica; rea III (Regies 3 e 4), nesta rea ocorre a oxidao superficial
da platina formando monocamadas de PtO2 devido a adsoro de ons hidroxila (OH-)
durante a corrente andica (Regio 3) e a reduo do xido platina metlica na
corrente catdica (Regio 4). possvel observar, ainda, que a rea do pico aumenta de
acordo com o aumento do potencial por segundo a cada varredura.
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Figura 5: Voltamograma cclico do eletrodo de Pt em uma soluo aquosa de H 2SO4 0,1M.
Uma integrao desta Regio 1 nos d um valor de 5,172. 10-6 C.V/s a qual, sendo
dividida pela velocidade de varredura 200.10-3 V/s nos fornece um valor de 0,0258.10-3
C. Uma vez com o valor da carga, e dividindo-se este valor por 240 C/cm2 tem-se o
valor de 0,1075 cm2 o qual a rea efetiva do eletrodo de platina policristalina.
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Figura 6: rea integrada do grfico de Pt.
A rugosidade deste eletrodo pode ser determinada dividindo-se a rea efetiva pela
rea geomtrica do mesmo:
Aefetiva/Ageomtrica = x
x = 1,00
Um valor de rugosidade abaixo de 1 pode ser entendido como se uma rea menor
do que a superfcie do eletrodo fosse ativa frente as reaes de oxidao dos tomos de
hidrognio. Por outro lado, uma rea maior do que a superfcie do eletrodo indica que a
superfcie composta de regies irregulares como cavidades ou salincias
microscpicas que consequentemente aumentam a superfcie de contato e aumentam o
nmero de stios ativos para adsoro de hidrognio resultando enfim, em valores de
rea maiores do que as medidas manualmente.
Figura 7: Grfico das correntes de pico andico (Ipa) do primeiro pico relativo oxidao dos tomos de
hidrognio nas velocidades de leitura (v).
Observando o grfico acima, fica ntida uma relao proporcional entre o aumento
da velocidade de leitura e o aumento dos valores de corrente de pico andico. Percebe-
se que, uma vez que haja um aumento da voltagem por um mesmo limite de tempo h
uma maior concentrao de cargas eltricas no eletrodo de platina o que
consequentemente atrair cargas de sinais opostos para as proximidades.
6. CONCLUSO
7. REFRENCIAS
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