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Arton Filimão Langa

Augusto José Macombjana
Miguel Orlando Bata

Microscópio de Tunelamento e o Díodo túnel

Licenciatura em ensino de Física
3˚ Ano – Laboral

Universidade Pedagógica
Faculdade de Ciências Naturais e Matemática
Maputo
2018
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Arton Filimão Langa

Augusto José Macombjana
Miguel Orlando Bata

Microscópio de Tunelamento e o Díodo túnel

Licenciatura em ensino de Física
3˚ Ano – Laboral

Trabalho a ser entregue na cadeira

de Mecânica Quântica para fins de
avaliação sob orientação do docente
dr. Jó Capece e dr. Nádia Bruno

Universidade Pedagógica
Faculdade de Ciências Naturais e Matemática
Maputo
2018
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1. Introdução...........................................................................................................4

2. Fundamentação teórica.......................................................................................5

2.1. Princípios físicos.............................................................................................7

2.2. Efeito de Túnel................................................................................................9

2.4. O instrumento............................................................................................11

2.6. Modo de Altura Constante.........................................................................13

2.7. Esquema de Microscópio de Tunelamento................................................13

3. Diodo Tunel ou Diodo ESAKI........................................................................14

3.1. Algumas Aplicações......................................................................................16

4. Conclusão..........................................................................................................18

5. Referencias Bibliográficas................................................................................19

1. Introdução
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Uma das mais fascinantes invenções dos anos 80 foi sem dúvida o microscópio de
tunelamento (STM — Scanning Tunnelling Microscope), que permitiu o
desenvolvimento de uma enorme variedade de possibilidades de intercâmbios com o
mundo nanométrico, através das chamadas microscopias de varredura de sondas (do
inglês SPM — Scanning Probe Microscopy).
Em 1973 Leo Esaki inventou um dispositivo semicondutor conhecido como “diodo-
túnel”, cujo funcionamento é baseado no fenómeno de tunelamento em materiais
semicondutores. Este dispositivo é bastante diferente dos que estamos acostumados a
ver em nossos estudos de electricidade básica. O objectivo deste trabalho é o de fazer
uma breve revisão dos princípios básicos de funcionamento de um STM, efeito túnel,
diodo -túnel e suas aplicações na física moderna.
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2. Fundamentação teórica

O tamanho dos detalhes que podem ser observados com o auxílio de um

microscópio ótico é limitado pelo comprimento de onda da luz utilizada (cerca de 300
nm, no caso a luz ultravioleta). Os detalhes que podem ser vistos na Figura 1 são muito
menores, o que significa que o comprimento de onda utilizado foi muito menor. As
ondas usadas para obter a imagem foram ondas de matéria associadas a electrões, mas
elas não foram reflectidas pela superfície da amostra, como acontece um microscópio
óptico. Em vez disso, as imagens foram criadas pelo tunelamento de electrões por
barreiras de potencial na agulha de um microscópio de tunelamento.

Figura 1 – O Homem de Monóxido de Carbono, fabricado em laboratório, é pequeno

demais para ser visto com um microscópio ótico.
Fonte: (HALLIDAY, 2007).

Em 1981 o microscópio de tunelamento por varredura (do inglês, Scanning Tunneling

Microscope – STM) foi inventado na IBM em Zurique na Suíça. Invenção que rendeu o
prêmio Nobel ao seus inventores (Heinrich Rohrer e Gerd Karl Binnig) em 1986.
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Figura 2 - Inventores do Microscópio de Tunelamento.

Esse aparelho deu origem a um novo segmento de instrumentos de visualização em

escala nanométrica, conforme pode ser comparada com outros meios na Figura 3.

Figura 3 - Tabela comparativa de alguns meios de magnificação.

Um STM é um instrumento que auxilia na análise de superfícies, e é constituído

basicamente por uma sonda, uma cerâmica piezelétrica para posicionar o sensor e
executar a varredura, um circuito de controlo de altura da sonda, um sistema de
armazenamento, processamento e exibição da imagem (LINDSAY 2008). Um STM
pode operar basicamente em dois modos: de corrente constante e altura constante.
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2.1. Princípios físicos

Para se entender os princípios físicos envolvidos no STM, faz-se necessário

entender a mecânica quântica.
A mecânica quântica prevê que uma partícula como um electrão, pode ser descrito
por uma função de onda. Assim sendo, tem uma probabilidade finita de entrar em uma
região classicamente proibida e, por conseguinte, essa partícula pode tunelar através de
uma barreira de potencial que separa duas regiões classicamente permitidas. A
probabilidade de tunelamento é exponencialmente dependente da largura da barreira de
potencial. Então a observação experimental dos eventos de tunelamento só é mensurável
para barreiras bastante finas, já para a mecânica clássica uma barreira é uma barreira, ou
seja, se uma partícula não tiver energia cinética suficiente, ela não conseguirá
ultrapassá-la.
Em resumo, classicamente, uma partícula proveniente da esquerda deveria colidir
com a barreira e, no caso de colisão elástica, retornar para esquerda, com a mesma
velocidade (em módulo) na ausência de atrito, pois E < V0. O que a mecânica quântica
prevê, é que a matéria apresenta comportamento ondulatório e, portanto, existe uma
probabilidade não nula (|ψ(x)|2 ≠ 0 na barreira) da onda atravessar a barreira, fenómeno
este conhecido por efeito túnel ou tunelamento.
Esta probabilidade que um electrão apareça do outro lado da barreira, obtém-se
trabalhando com a Equação 1, independente do tempo, mostrada abaixo:

Equação 1 – Equação de Schrödinger.

A solução da equação diferencial (Equação 1) é mostrada analisando a Figura 4.

Nas regiões classicamente permitidas x < 0 e x > a, a energia total E de uma onda
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proveniente da esquerda é maior do que a energia potencial V(x) e as auto funções são
oscilatórias; no interior da barreira (0 <x < a), E < V(x) = 0 e a auto função decresce
exponencialmente.

Figura 4 - Tunelamento por uma barreira de potencial finita.

O conceito de tunelamento de elétrons, foi primeiro teoricamente aplicado aos

trabalhos de Julius Robert Oppenheimer sobre a autoionização do hidrogénio atómico
(1928), e os de George Gamow (1928), R. W. Gurney e E. U. Condon (1929) sobre o
decaimento alfa, a emissão de campo por um elétron livre de um metal por Fowler e
Nordheim (1928) e outro fenómenos como a rectificação de uma junção metal-
semicondutor e o efeito Zener (TIPPLER 1981).
Em 1957, treze anos depois da aceitação da mecânica quântica pelos físicos, Esaki
inventa o diodo túnel ou dispositivo de Esaki, abrindo com isso, à tecnologia novas
áreas de trabalho e sobre tudo, interesses na dificuldade conceitual do efeito túnel e suas
aplicações.
Um ponto crítico no projecto de qualquer STM é o isolamento das vibrações. Os
primeiros experimentos constituíam em demonstrar a exequibilidade do tunelamento
através de uma barreira de vácuo, porém inúmeros destes experimentos falharam devido
a “problemas com vibrações”.
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2.2. Efeito de Túnel

O efeito túnel é um fato relacionado com a mecânica quântica, portanto os

formalismos matemáticos da mecânica clássica não se enquadram. Ele acontece quando
no caminho de uma partícula há uma barreira com energia maior que a da própria
partícula. Do ponto de vista da mecânica clássica, a partícula seria totalmente reflectida.
Contudo, sob a óptica da mecânica quântica existe uma probabilidade que essa mesma
partícula tunele por esse obstáculo, ou seja, “atravesse” essa barreira e apareça do outro
lado. Isso ocorre porque o electrão, quando analisado pela mecânica quântica, possui
comportamento dual, onda-partícula. Essa probabilidade é exponencialmente
proporcional à largura da barreira (PARK SYSTEMS s.d.).
Quando a largura dessa barreira for suficientemente pequena (cerca de 100 nm), a
probabilidade do tunelamento ocorrer aumenta para muitos electrões, de maneira que
eles passam de uma superfície à outra, formando a denominada corrente de
tunelamento. A direcção do tunelamento é dependente da tensão aplicada entre amostra
e sonda (LAMAS 1999).
O efeito túnel pode ser verificado em microscópios de tunelamento por varredura
(STM), onde os electrões tunelam entre a sonda e a superfície.
O princípio de tunelamento de um STM consiste em uma sonda metálica que está
próxima à superfície a ser analisada. A corrente de tunelamento aparece entre a sonda e
a amostra quando estas estão polarizadas (BINNIG e ROHRER 1983).
A corrente de tunelamento, no caso da polarização sonda-amostra ter ordem de
grandeza na casa de dezenas de milivolts, é dada pela equação 1 (BINNIG e ROHRER
1983).

Equação 2 - Corrente de Tunelamento.

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De acordo com Binnig e Rohrer, para funções de trabalho na ordem de alguns eV, a
corrente de tunelamento se altera de uma ordem de magnitude para cada ångström de
variação de d (BINNIG e ROHRER 1983).
Fundamental para a operação do STM é a extrema sensibilidade da corrente de
tunelamento à separação entre os eléctrodos. No STM, uma sonda muito fina, e muito
próxima da amostra, varre a sua superfície, retirando electrões, levantando assim a
topografia dos átomos na superfície da amostra, ou seja, registando o seu relevo
(potencial). Sua realização, simples em princípio, depende de considerável astúcia
experimental. O STM é aplicável a amostras condutoras podendo ser utilizado tanto no
vácuo como na atmosfera. Porém quando usado no ar, tem-se uma “contaminação” da
superfície da amostra, fazendo com que a imagem obtida não seja uma imagem pura.

2.3. Princípio de funcionamento

O princípio de funcionamento desse tipo de microscópio (ilustrado na ) é dado pelos
passos:
a) Polarizar a sonda e a amostra com uma tensão contínua de baixa amplitude;
b) Aproximar sonda e amostra até que ocorra o efeito túnel;
c) A corrente de tunelamento deve ser verificada usando-se um amperímetro.
Dessa forma, a partir da leitura da corrente de tunelamento é possível estimar a
distância entre a sonda e a superfície da amostra. Aplicando esse procedimento a vários
pontos da amostra, pode-se montar uma imagem muito próxima da superfície real.

Figura 5 - Princípio de funcionamento de um STM.

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2.4. O instrumento
A combinação bem-sucedida de tunelamento no vácuo com um sistema de
cerâmicas piezoelétricas, formam um microscópio de tunelamento com varredura
(primeira demonstração em 1981 por Binning).
Uma amostra condutora e uma ponta de metal muito fina que age como uma sonda
local, é posicionada dentro de uma distância de alguns angstrons da superfície da
amostra condutora, resultando numa significante sobreposição das funções eletrônicas
de ondas.

Figura 6 - Esquemático do princípio físico e técnica inicial para realização do STM.

(a) Visualização do ápice da ponta (esquerda) e da superfície da amostra (direita) a
uma
Ampliação de cerca de 108. Os círculos sólidos indicam átomos e as linhas
pontilhadas os contornos da densidade dos electrões. O caminho da corrente de
tunelamento é mostrado pela seta. (b) escala reduzida por um factor de 104. A ponta
(esquerda) parece tocar a superfície
(direita). (c) STM com sistema de cerâmicas piezoelétricas X, Y, Z com a ponta de
tunelamento a esquerda e L (motor electrostático) para posicionamento superficial
(irregular) da amostra.

Com a aplicação de uma voltagem (tipicamente entre 1 mV e 4 V), uma corrente de

tunelamento (tipicamente entre 0,1 nA e 10 nA) pode fluir dos estados electrónicos
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ocupados perto do nível de Fermi de um eléctrodo com os estados desocupados para o

outro eléctrodo. Usando um sistema de cerâmicas piezoelétricas para controlar o
movimento da ponta e uma realimentação, podendo assim, obter um mapa da topografia
de superfície (Figura 7). A dependência exponencial da corrente tunelamento com o
espaçamento da ponta para amostra provou ser a chave para a alta resolução espacial
que pode ser alcançada com o STM, ou seja, diminuindo este espaçamento (ponta
amostra) em somente 1 Å tipicamente, resulta em um aumento da magnitude na corrente
tunelamento. A corrente de tunelamento, diminui até aproximadamente um-décimo de
seu valor inicial para cada 0,1nm que se diminua a distância d.

Figura 7 - Comportamento do material piezelétrico.

Resumidamente, neste microscópio uma ponta de tungstênio muito fina é

posicionada quase tocando a superfície da amostra condutora. Quando a distância d de
separação entre ponta-amostra se aproxima de 10Å, os elétrons da superfície da mostra
começam a tunelar para a ponta e vice versa, dependendo da polaridade de voltagem
aplica entre as mesmas, com isso gerando uma corrente (corrente de tunelamento).
Geralmente a imagem não representa necessariamente a topografia pura. Por
exemplo, a imagem STM de uma superfície de ouro, representa uma imagem muito
próxima de sua topografia, enquanto uma imagem de uma superfície de um cristal de
arseneto de gálio, em geral não, devido às variações na probabilidade de tunelamento de
átomo para átomo em sua superfície.
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O STM opera basicamente de dois modos: corrente constante e altura constante ou

voltagem constante.
2.5. Modo de corrente constante
O modo de operação de corrente constante é o mais comummente utilizado. O princípio
básico deste método é que a sonda guarda uma distância constante da amostra,
mantendo assim a corrente de tunelamento também constante. A imagem pode atingir
resolução atómica. Ela é obtida amostrando-se o sinal que representa a variação de
altura da sonda, ou seja, o sinal aplicado ao sistema de controle de altura da sonda.
Porém, apresenta uma velocidade de varredura reduzida.

2.6. Modo de Altura Constante

O modo de altura constante é um método menos comum. Ele apresenta um modelo
de operação no qual a sonda mantém-se a uma altura constante, ou seja, diferentemente
do modo de corrente constante, não há correcção na altura da sonda. Dessa forma, a
própria variação da corrente de tunelamento é a informação utilizada para a geração da
imagem. Isso possibilita uma velocidade de varredura maior, porém apresenta uma
resolução inferior ao método anterior. Esse método permite inclusive, devido à maior
velocidade de varredura, a geração de vídeo.

2.7. Esquema de Microscópio de Tunelamento

Nos microscópios de varredura, a superfície da amostra é examinada ponto a ponto.
A "imagem" é obtida após análise dos dados relativos à interacção de um feixe ou de
um elemento do próprio microscópio com a amostra. A variação de corrente, indicada
no gráfico, corresponde ao "relevo" da superfície da prova. A distância entre a ponta da
sonda, que deve ter a dimensão de um átomo, e a prova deve ser de cerca de 1
nanômetro. Nessas condições, electrões fluem por tunelamento da amostra para a sonda.
Os valores dessa corrente são usados para formar a "imagem" da superfície. Tal
processo pode ser visualizado na Figura 8.
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Figura 8 - Esquema de Funcionamento do STM.

3. Diodo Tunel ou Diodo ESAKI

Tudo começou quando, em 1956, os engenheiros da Sony descobriram um defeito
no transístor 2T7. Aparentemente, o dispositivo deixava de funcionar quando o nível de
dopagem na junção PN excedia certo limite. Esaki e dois estagiários foram designados
para investigar o problema. Logo descobriram fenómenos estranhos, como resistência
eléctrica negativa no caso de alta concentração de dopagem. O problema do 2T7 estava
resolvido: bastava dopá-lo abaixo do limite da resistência negativa.

A Sony passou a produzir um transístor de alta qualidade, mas Esaki continuou sua
pesquisa para descobrir a origem da resistência negativa. Preparou diodos de germânio
com junção PN altamente dopada. Descobriu que, ao contrário dos diodos
convencionais, em que a corrente eléctrica surge apenas quando a voltagem é aplicada
em um sentido, no seu diodo havia corrente nos dois sentidos, da mesma forma como
acontece no diodo Zener.

Em 1973, a importância do fenómeno de tunelamento para a Física, tanto a básica

quanto a aplicada, foi reconhecida com o Prémio Nobel. Foram agraciados os físicos
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Leo Esaki, do Japão, Ivar Giaever, da Noruega, e Brian Josephson, da Inglaterra. Esses
cientistas descobriram efeitos quânticos devido ao tunelamento que podem ser usados
para fabricar dispositivos electrónicos.

Esses dispositivos são bastante diferentes dos que estamos acostumados a ver em
nossos estudos de electricidade básica.

Leo Esaki inventou um dispositivo semicondutor conhecido como “diodo-túnel”,

cujo funcionamento é baseado no fenómeno de tunelamento em materiais
semicondutores. A curva característica, ou curva corrente-voltagem (I-V) do diodo-
túnel está na figura logo abaixo. Um diodo-túnel é bastante diferente de um resistor
ôhmico (V = RI), cuja curva característica é uma recta. Em particular, há uma região de
voltagens onde ocorre a chamada resistência diferencial negativa, ou seja, ao
aumentarmos a voltagem, a corrente diminui!

Curva característica do diodo túnel

São diodos de junção PN com elevadas concentrações de impurezas (dopagem) em

ambas as camadas. Nessa situação, a região de depleção é muito estreita, na faixa de
"algumas dezenas de átomos" de espessura.
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A proximidade das partes activas das camadas permite o efeito túnel, que, por
enquanto, não é aqui informado em seus aspectos atómicos.
O resultado é o comportamento de resistência negativa, isto é, a corrente diminui
com o aumento de tensão, em uma parte da curva de polarização directa.

A característica de resistência negativa permite a construção de osciladores simples

como o circuito da figura (b) logo acima. A elevada dopagem faz com que a maior parte
dos portadores sejam buracos e electrões, que têm acção bastante rápida. Assim, pode
operar em frequências elevadas.
Entretanto, os diodos túnel são pouco usados actualmente. As principais
desvantagens são a baixa potência e o custo, factores que são melhor atendidos por
outras tecnologias.

3.1. Algumas Aplicações

Relógio atómico
O fenómeno do tunelamento está por trás ainda de uma série de outras aplicações.
Na verdade, as manifestações experimentais do fenómeno foram um dos primeiros
triunfos da teoria quântica. Já nos anos 1920, a ideia de tunelamento foi utilizada para
explicar resultados de decaimento nuclear observados pelo inglês Ernest Rutherford
(1871-1937) na primeira década do século 20.
Em 1949, a frequência de tunelamento do nitrogénio na molécula de amónia (NH3)
foi utilizada para a fabricação do primeiro relógio atómico. Nessa molécula, o átomo de
nitrogénio pode ocupar mais de um lugar. Ele muda de um para outro através de um
processo de tunelamento, com frequência igual a 24 GHz. É a constância dessa
frequência que possibilita seu uso em um relógio atómico.

No diodo túnel, a corrente eléctrica pode mudar de sentido em alta frequência, uma
propriedade bastante atraente para a indústria de celulares e de memórias rápidas. A
NEC está desenvolvendo uma memória MRAM (memória de acesso randômico
magnetorresistiva, na sigla em inglês) de alta velocidade para a próxima geração de
circuitos de integração de alta escala (LSI, na sigla inglesa).
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Essa nova tecnologia inclui junções de tunelamento magnetorresistivo (MTJ, na

sigla em inglês). Na junção MTJ, o tunelamento do electrão é controlado pelo seu spin,
ao contrário do diodo, no qual o tunelamento é controlado pela carga eléctrica. É isso
que permite a fabricação de memórias rápidas e com alta densidade de gravação.

O primeiro relógio atômico, construído em 1949 pelo Instituto Nacional de Padrões e

Tecnologia dos EUA

Para o futuro próximo são aguardadas aplicações em nanorrobótica, à manipulação

de objectos com dimensões nanométricas com o auxílio do microscópio de tunelamento.
A aventura das aplicações tecnológicas desse estranho fenómeno, pelo visto, apenas
começou.
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4. Conclusão

A nanotecnologia estuda a compreensão do comportamento da matéria em

dimensões um bilhão de vezes menores que o metro, e tem potencial de manipular
elementos em nível atómico de maneira a controlar as propriedades dos materiais numa
escala antes impossível. Actuando nas mais variadas áreas de pesquisa como a
medicina, engenharia electrónica, engenharia dos materiais, física, química, biologia, a
nanotecnologia tem capacidade de revolucionar grande parte da tecnologia atual. Nesse
contexto, um microscópio que permita a análise de superfícies com alta resolução é uma
ferramenta indispensável nas pesquisas de nanotecnologia.
Não se encerra aqui a extraordinária jornada do efeito túnel, e nem tudo que ela
proporcionou foi dito. Logo depois da descoberta de Esaki, por exemplo, Brian
Josephson descobriu que o mesmo fenómeno ocorria em materiais supercondutores. A
junção Josephson teve e continua tendo enorme repercussão na industrialização de
dispositivos supercondutores.
Para o futuro próximo são aguardadas aplicações em nanorrobótica, à manipulação
de objectos com dimensões nanométricas com o auxílio do microscópio de tunelamento.
A aventura das aplicações tecnológicas desse estranho fenómeno, pelo visto, apenas
começou.
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5. Referencias Bibliográficas

ATCP ENGENHARIA FÍSICA. „Apostila 3 da fase 1 Materiais Piezoelétricos.“

Apostila do Curso Materiais e Dispositivos Piezoelétricos: Fundamentos e
Desenvolvimento, São Carlos. 2004. Disponível em:
<http://www.atcp.com.br/images/stories/products/ceramicas/Apostila3_cursopiezo-
ATCP.pdf> (Acessado em 01 de abril de 2013)

P. A. TIPLER, “FÍSICA MODERNA”, 1ª ED. TRAD., GUANABARA DOIS, RIO DE JANEIRO,

1981.PDF

R. EISBERG, R. RESNICK, “FÍSICA QUÂNTICA”, 4ª ED. TRAD., RIO DE JANEIRO, 1988.

LAMAS, T.E. ESPECTROSCOPIA A NÍVEL ATÓMICO USANDO UM MICROSCÓPIO DE

TUNELAMENTO (STM).“ DISSERTAÇÃO (MESTRADO EM CIÊNCIAS) - INSTITUTO DE
FÍSICA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO. SÃO PAULO, 1999. PDF

BONERG Bruna Steil, O MICROSCÓPIO DE TUNELAMENTO, TRABALHO DO

CURSO DE ENGENHARIA EM ENERGIA, UERGS - UNIVERSIDADE DO
ESTADO DO RIO GRANDE DO SUL, Novo Hamburgo, 02 de Abril de 2013. PDF