Faculdade de Ciências

Departamento de Física

Licenciatura em Física

FTM

Técnica de caracterização de materiais STM e AFM

Discente:

Maunde Jr, Samuel Abílio

Regente: Prof. Doutor Akil Askarhodjaev

Assitente: Dr. Helder Marrenjo

Maputo, Julho de 2022

Declaração

Eu declaro, por minha honra, que o presnte trabalho académico foi elaborado por mim
próprio. Não se recorreu a quaisquer outras fontes, para além das indicadas, e todas as
formulações e conceitos usados, quer adotados literalmente ou adaptados a partir das
suas ocorrências originais (em fontes não impressas), se encontram adequadamente
identificados e citados, com observância das convenções do trabalho académico em
vigor.

Mais declaro que este trabalho não foi apresentado, para efeitos de avaliação, a
qualquer outra entidade ou instituição, para além da diretamente envolvida na sua
elaboração, e que os conteúdos das versões impressa e eletrónica são inteiramente
coincidentes.

Declaro, finalmente, encontrar-me ciente de que a inclusão, neste texto, de qualquer

falsa declaração terá consequências legais.

Dedicação

Aos meus pais Samuel Maunde e Ana Manjate , e a minha amiga Jenny Manjate, que
me fortalecem e confortam, em todos os momentos da minha vida.

Agradecimentos

A Deus pelo dom da vida, e pela sua energia que equilibra o mundo em que vivemos.

Aos meus familiares, principalmente os meus pais Samuel Maunde e Ana Manjate pelo
apoio nos momentos bons e difíceis da minha vida.

Ao Dr.Helder Marrenjo pelo seu acompanchamento na disciplina de Física e Tecnologia

dos Materias e pela paciencia e vontade de nós ensinar .
Índice
Resumo ................................................................................................................................................ 4
Abstract ................................................................................................................................................ 4
Lista de Figuras .................................................................................................................................. 4
Lista de Abreviaturas, Símbolos e Siglas ...................................................................................... 5
1.Introdução......................................................................................................................................... 5
1.2.Objectivos ...................................................................................................................................... 6
1.2.1.Objectivo geral....................................................................................................................... 6
1.2.2.Objectivo específicos ........................................................................................................... 6
1.3.Metodologia ................................................................................................................................... 6
2.STM .................................................................................................................................................... 6
2.1.Princípio de funcionamento do STM .................................................................................... 6
2.2.Modos operação ....................................................................................................................... 8
3.AFM .................................................................................................................................................. 10
3.1.Forças entre ponta e amostra .............................................................................................. 10
3.2.Princípio de funcionamento do AFM .................................................................................. 11
3.3.Modos de operação .............................................................................................................. 12
4.Artefatos nas imagens de STM e AFM ..................................................................................... 13
5.Conclusão ....................................................................................................................................... 14
6.Referências Bibliográficas .......................................................................................................... 14
Resumo

O surgimento do Microscópio de Força Atômica (AFM) e micoscópio de varredura por

tunelamento (STM) promoveu um grande impacto na Ciência, de uma forma geral,
devido a sua capacidade de gerar imagens com resolução atômica, proporcionando o
estudo da morfologia de superfícies, condutoras ou não, em escala nanométrica. Além
disso, o AFM não exige uma preparação prévia das amostras a serem estudadas,
possuindo apenas uma limitação no tamanho das mesmas devido ao porta-amostras.
Enquanto a STM limitada apenas a analises de materias condutores e semi-
condutores.

Palavras-chave: STM, AFM, força, átomos, morfologia de superfícies, tunelamento.

Abstract

The emergence of the Atomic Force Microscope (AFM) and Scanning Tunneling
Microscope (STM) has promoted a big impact on the science, in general, due to its
ability to generate images with atomic resolution, providing the study of the morphology
of surfaces, conductive or not, at the nanoscale. Further more, AFM does not require a
prior preparation of the samples to be studied, having only one limitation on the size of
the same due to the sample holder. While the STM limited only the analysis of
conductive and semiconductor materials.

Keywords: STM, AFM, force, atoms, surface morphology, tunneling.

Lista de Figuras

Figure 1: Esquema do efeito túnel. Fonte(Silva jr, 2009). ................................................................. 7

Figure 2: O sistema de microscópio de tunelamento de varredura (STM). O scanner move a
ponta sobre a superfície da amostra e o loop de feedback mantém a corrente de tunelamento
constante. Fonte (Leng, 2008). ........................................................................................................... 8
Figure 3: Modo de manipulação no STM: (a) manipulação vertical e (b) manipulação lateral .
Fonte (leng, 2008). ............................................................................................................................... 9
Figure 4: Esquema de funcionamento do AFM. Fonte(Pinto et al, 2013). .................................... 11
Figure 5: Ilustração do modo contato . Fonte(Silva jr, 2009). ......................................................... 12
Figure 6: Ilustração do modo não-contato . Fonte(Silva jr, 2009). ................................................ 13
Figure 7:Ilustração do modo tapping . Fonte(Silva jr, 2009). .......................................................... 13
Lista de Abreviaturas, Símbolos e Siglas

SPM - microscópios de varredura por sonda

STM - Microscópio de varredura por tunelamento

AFM - Microscópio de Força Atômica

nm - nanométros

nA – nanoamperés

LDOS – local densidade de estados

Å - angstrom

V - volt

1.Introdução

Utilizando um microscópio óptico rudimentar, em 1665 Robert Hooke examinou uma

fatia de cortiça e verificou que ela era constituída por cavidades poliédricas, às quais
ele nominou de células (do latim “cella” – pequena cavidade), descobrindo um mundo
até então invisível e insuspeitado. Desde então, os microscópios não pararam de
evoluir sendo sempre ferramentas fundamentais para o avanço das fronteiras do
conhecimento. Assim, para estudar superfícies em uma escala menor, tornou-se
necessário buscar novos mecanismos, como por exemplo, através da microscopia de
varredura por sonda ou ponta de prova. Atualmente existe uma família de microscópios
de varredura por sonda ou SPM (do inglês Scanning Probe Microscope) entre os
quais é possível citar o Microscópio de Tunelamento ou STM (do inglês Scanning
Tunneling Microscope) e o Microscópio de Força Atômica ou AFM (do inglês Atomic
Force Microscope). Essa classe de microscópios tem como componente essencial
uma ponta ou sonda que varre a superfície da amostra detectando mudanças em seu
relevo através de variações de grandezas físicas que dependem da variante do SPM
escolhida (Pinto et al,2013). As técnicas de STM e AFM não dependem da interação da
matéria com luz ou elétrons. Nelas, o observador utiliza uma pequena sonda que tem a
ponta muito afiada e que percorre a superfície da amostra, muito próximo desta.
1.2.Objectivos

1.2.1.Objectivo geral

 Falar das técnicas de caracterização de materiais: Microscopia de varredura

por tunelamento (STM) e Microscopia de Força Atômica (AFM).

1.2.2.Objectivo específicos

 Descrever o funcionamento de STM e AFM;

 Descrever os modos de operação;
 Comparar e avaliar as tecnicas caracterização STM e AFM;
 Mencionar os artefactos (defeitos) de imagem nas STM e AFM.

1.3.Metodologia

Este estudo é de cunho exploratório e abordagem qualitativa, baseado em revisão

bibliográfica, cujo levantamento de dados se deu através da análise de trabalhos
publicados em idioma português, inglês entre outras línguas . Para busca de dados
bibliográficos, considerou-se artigos e livros de extrema importância que
apresentassem no tema, termos como: STM , AFM, tecnicas de caracterização dos
materiais.

2.STM

2.1.Princípio de funcionamento do STM

O STM requer que a amostra seja electricamente condutora ou semi-condutora. A

ponta metálica é submetida a uma pequena diferença de potencial, normalmente uma
fração de volt. Quando a ponta metálica está a uma distância em torno de 1nm da
amostra, uma pequana corrente, geralmente unidades ou dezenas de nA, pode fluir
entre a ponte e a amostra (Silva jr, 2009).

2.1.1.Efeito Túnel ( tunelamento)

O tunelamento é um importante mecanismo de transporte na matéria condensada.

Em contraste com outros mecanismos de transporte, tal como a difusão, que pode ser
descrita pela física clássica, o tunelamento só pode ser entendido em termos de teoria
quântica, considerando uma barreira se energia potencial e uma partícula, por
exemplo,o elétrão, com uma energia menor do que a altura da barreira de potencial
(figura 1).

Figure 1: Esquema do efeito túnel. Fonte(Silva jr, 2009).

Os microscópios de tunelamento de varredura usam uma ponta atomicamente afiada,

geralmente feita de tungstênio. Quando a ponta está dentro de alguns Å da superfície
da amostra e uma tensão de polarização V é aplicada entre a amostra e a ponta,
tunelamento mecânico quântico ocorre através da fenda. Esta corrente de
tunelamento depende exponencialmente da separação d entre a ponta e a amostra, e
linearmente na densidade local de estados(BRUNDLE et al, 1992). Sem muito
conhecimento da mecânica quântica, podemos quantificar a corrente de tunelamento
através a seguinte equação:

It = Vb exp(−Cd) eq(1)

Vb é a tensão de polarização aplicada entre a ponta e a superfície, C é uma constante

que depende da natureza do material da amostra, e d é a distância mais próxima entre
a ponta e a superfície da amostra. A topografia da superfície é determinada pela
densidade total de carga em a superfície. É importante notar que um perfil de superfície
gerado por um STM pode diferir da topografia da superfície da amostra.
Conforme mostrado na Figura 2, a corrente de encapsulamento é usada como sinal de
entrada para controlando precisamente o movimento de um scanner piezoelétrico. Os
sinais de saída do loop de feedback, determinado pela entrada de corrente de
tunelamento, controla o piezoelétrico scanner em movimento para cima ou para baixo.
Um amplificador de alta tensão fornece a potencial elétrico necessário para ativar o
scanner piezoelétrico. O espaçamento entre a ponta e a superfície da amostra mantém
a corrente de tunelamento constante durante a varredura (Leng, 2008).

Figure 2: O sistema de microscópio de tunelamento de varredura (STM). O scanner move a ponta sobre a superfície
da amostra e o loop de feedback mantém a corrente de tunelamento constante. Fonte (Leng, 2008).

2.2.Modos operação

Existem quatro modos operacionais no STM: corrente constante, altura constante,

modos espectroscópicos e de manipulação.

Modo de corrente constante - o circuito de feedback controla o scanner movendo

para cima e para baixo para manter uma corrente de tunelamento constante. Uma
ondulação no contorno do LDOS durante a varredura pode ser obtido no modo
corrente constante. A ondulação do contorno revela as localizações dos átomos da
superfície da amostra porque o LDOS é muito sensível às localizações dos átomos.
Embora o LDOS no contorno não é idêntico à topografia de superfície, uma imagem
gerada no modo de corrente constante muitas vezes retrata com bastante precisão a
topografia real quando a digitalização é numa escala de alguns nanômetros (Leng,
2008).
Modo de altura constante - o modo de altura constante pode fornecer taxas de
varredura muito mais altas do que Corrente constante. É útil para observar processos
dinâmicos nos quais o tempo é importante. O modo de altura constante pode ser obtido
desligando o controle do loop de feedback. Este modo requer que a superfície da
amostra esteja bem nivelada sem inclinação. Há também o risco de bater a ponta na
superfície da amostra durante a digitalização (Leng, 2008).

Modo espectroscópico - o modo espectroscópico refere-se à operação de registro da

corrente de tunelamento como uma função do espaçamento ponta-amostra ou da
tensão de polarização. O modo espectroscópico é útil para estudar propriedades de
superfície, como supercondução e adsorção no metal. Para gravar um espectrógrafo
STM, a ponta é parada em uma posição acima da amostra, e a corrente de
tunelamento é registrada ao mudar o espaçamento ou tensão de polarização entre a
ponta e a amostra(Leng, 2008).

O modo de manipulação - refere-se a operações de realocação ou remoção de

átomos em uma superfície. A Figura 3 ilustra a realocação de um adatom (um átomo
ligado a superfície) por manipulação vertical e lateral. Na manipulação vertical, um
adatom é transferido da superfície para a ponta da sonda, e então é depositado em
outro localização. A ligação e separação do átomo de e para a ponta é controlado por
pulsos de tensão. Na manipulação lateral, um adatom permanece adsorvido na
superfície e é movido lateralmente pela ponta quando há uma ligação fraca entre o
adatom e a ponta(Leng,2008) .

Figure 3: Modo de manipulação no STM: (a) manipulação vertical e (b) manipulação lateral . Fonte (leng, 2008).
3.AFM

O Microscópio de Força Atômica surgiu para resolver uma limitação do STM quanto à
condutividade das amostras que podem ser analisadas, pois com o AFM é possível
estudar também todo o tipo de material isolante, já que este não utiliza corrente de
tunelamento, mas forças de interação atômica, para produzir imagens (Pinto et al,
2013).

3.1.Forças entre ponta e amostra

A atração ponta-amostra pode ser resultado de diferentes tipos de forças que se

somam, como por exemplo: força eletrostática, forças de Van der Waals, forças
químicas e força capilar.

Forças eletrostáticas podem ser evitadas escolhendo-se apropriadamente os

materiais para evitar a acumulação de cargas na interface ponta-amostra. As forças
químicas se originam das ligações entre os objetos. São ativas quando os objetos
estão em contato (ou seja, a distância entre eles é de cerca de uma distância
intermolecular). A Força capilar entre dois objetos ocorre quando existe a presença de
líquido entre eles, enquanto que as forças de Van der Waals têm uma natureza
elétrica e surgem devido à polarização das moléculas que ocorrem através de campos
elétricos de cargas vizinhas ou dipolos permanentes. Estas forças podem ser
classificadas em forças de orientação, de indução e de dispersão (Pinto et al,
2013):

 Forças de orientação: resultam da interação entre duas moléculas polares com

momentos dipolares permanentes.
 Forças de indução: se devem à interação de uma molécula polar e uma
apolar, onde a molécula polar induz uma polaridade nas vizinhanças da outra. O
campo elétrico da molécula polar destrói a simetria da distribuição de cargas da
molécula apolar, resultando em uma atração semelhante à registrada entre
moléculas polares.
 Forças de dispersão: resultam da interação entre dipolos flutuantes que
ocorrem em moléculas apolares, esses dipolos são finitos com intervalos de
 tempo muito curtos. Para as moléculas apolares a distribuição eletrônica é, em
média, simétrica. Mas, a cada instante, uma parte da molécula possui mais
elétrons que outra. Assim, cada molécula (ou átomo) se comporta como polar,
mas esta “polarização” varia constantemente em grandeza e direção, dando
origem a momentos dipolares flutuantes.

Segundo (Pinte et al, 2013), deve-se ressaltar, que existem outros tipos de interação
que podem ser consideradas, como forças magnéticas e atração gravitacional,
entretanto, dentro da região de interação ponta-amostra elas são muito fracas quando
comparadas com as forças citadas anteriormente, sendo assim é possível desprezá-
las.

3.2.Princípio de funcionamento do AFM

Quando a ponta do AFM se aproxima da amostra (a uma distância da ordem de alguns

angstroms), os primeiro átomos da ponta interagem com os átomos que compõe a
superfície da amostra. Ao longo da varredura, a haste sofre deflexões por causa da
interação atômica, desviando o laser que incide sobre ele, conforme ilustra o esquema
de funcionamento do AFM mostrado na figura 4. O laser é detectado por um fotodiodo
que envia essas informações de desvio da haste para o controle de realimentação que
ajusta a posição da amostra (e/ou da ponteira) e para o computador onde é construída
a topografia digitalizada da superfície da amostra.

Figure 4: Esquema de funcionamento do AFM. Fonte(Pinto et al, 2013).

3.3.Modos de operação

Com relação à geração de imagens em AFM, existem três modos de operação: o modo
contato, o modo tapping e o modo não contato.

Modo contato - Também denominado modo de força constante, o modo contato atua
na região de forças repulsivas e é o modo mais simples em AFM, onde a sonda é posta
em contato com a amostra (figura 5) e a deflexão do cantiléver é mantida constante
durante a varredura pelo sistema de controle eletrônico. O cantilever utilizado neste
modo é, geralmente, em forma de “V” para minimizar as forças laterais de atrito, que
poderiam degradar as imagens . A deflexão do cantiléver obedece à lei de HooKe
(Silva jr, 2009).

Figure 5: Ilustração do modo contato . Fonte(Silva jr, 2009).

Modo não contato - Atua na região de forças atrativas, sendo a sonda posicionada a
uma distância de 1nm – 10nm da superfície da amostra. A ponta afilada sofre
oscilações vibrando perto da frequêcia de ressonância, com resultado da interação
entre a ponta e a amostra (figura 6), e exigindo que a haste seja suficientemente rígida
com constante elástica de valor alto. O modo não contato é utilizado para a realização
de imagens de amostras muito moles(Silva jr,2009).
 Figure 6: Ilustração do modo não-contato . Fonte(Silva jr, 2009).

Modo tapping - É um modo que atua nas regiões de forças atrativas e repulsivas. Seu
esquema de funcionamento é similar ao de não-contato. No entanto, a amptitude de
oscilação é maior (figura 7). A resolução vertcal e lateral são boas, em virtude da
menor interação com a amostra, quando comparado ao modo contato. Pode ser
uasado em ambientes líquidos(Silva jr,2009).

Figure 7:Ilustração do modo tapping . Fonte(Silva jr, 2009).

4.Artefatos nas imagens de STM e AFM

O SPM pode medir a topografia de superfície, utilizando uma ponta em contato com
uma superfície da amostra. O ideal, seria gerar uma imagem tridimensional da
superfície de uma amostra que mostrasse uma réplica exata da topografia. Quando
isso não ocorre, tem-se em perfil topográfico diferente da superficie real da amostra, o
que caracteriza um artefato (Silva jr,2009).

Infelizmente, a aquisição de imagens em escala nanométrica pode produzir alguns

defeitos (artefatos). As fontes de artefactos nestas imagens são a ponta, o scanner,
vibrações, variações térmicas, processamento, circuito de feedback e parâmetros do
scan(Leng, 2008).
5.Conclusão

A microscopia de varredura por sonda é uma tecnologia de ponta que está bem
estabelecida para pesquisa em física de superfície. Para análise topográfica a
resolução e a natureza tridimensional dos dados são inigualável por outras técnicas. A
facilidade de uso e a natureza não destrutiva do imagem são notáveis. As propriedades
como elasticidade, atrito e desgaste que dependem da morfologia da superfície (ou
asperezas microscópicas) e da adesão podem ser estudadas com o uso do STM e
AFM fornecem resultados com boa precisão. Essas propriedades influenciam
diretamente na construção de materiais nanoestruturados. O tunelamento de varredura
e os microscópios de força de atomica são apenas dois membros da a família de
microscópios de varredura por sonda.

6.Referências Bibliográficas

 Silva Jr, José Ginaldo da . 2009. Microscopia de força atômica aplicada a sistemas
eletroquímicos e biológicos de interesse. UFAL e IQB.
 BRUNDLE, C.R.;EVANS, C. A.; WILSON, S. Encyclopedia of materials characterization.
Butterworth-Heinneman, 1992.
 LENG, Y. Materials Characterization: Introduction to Microscopic and Spectroscopic
Methods, 1a ed. John Wiley e Sons, 2008.
 Pinto, Erveton P. ; et al. O Microscópio de Força Atômica (AFM): importante ferramenta
no estudo da morfologia de superfícies na escala nanométrica. Estação Científica
(UNIFAP). Macapá, 2013. ISSN 2179-1902.