Ligaes Metlicas

Ligaes Metlicas- Introduo

Metais grande nmero de entidades iguais mantidas coesas em um retculo cristalino.
No pode ser explicado pela teoria das ligaes covalentes (estas raramente conseguem formar retculos cristalinos) No pode ser explicado pela teoria das ligaes inicas.

Primeiro modelo de ligao metlica

Modelo do gs eletrnico (Drude-Lorenz):
Retculo de esferas rgidas (ctions) mantidos coesos por eltrons que podem se mover livremente eltrons livres (mar de eltrons) Eltrons mais externos se encontram muito longe do ncleo. Os metais possuem baixa energia de ionizao tornam-se ctions facilmente. A fora de coeso seria resultante da atrao entre os ctions no reticulado e a nuvem eletrnica.

Modelo do gs eletrnico
Elemento Sdio Ferro Prata Oxignio Cloro Energia de ionizao (kJ/mol) 495,8 759,3 731,0 1.313,9 1.251,2 Elemento Sdio Ferro Prata Raio atmico () 1,57 1,16 1,34 Raio inico () 0,95 0,76 1,26

Explica de maneira adequada a condutividade eltrica dos metais.

Substncia Prata Cobre Zinco NaCl Diamante Condutividade eltrica (ohm.cm-1) 6,3 x 105 6,0 x 105 1,7 x 105 10-7 10-14

-No explica de maneira adequada o espectro de emisso eletrnica de um metal.

O espectro de emisso eletrnica de um metal

Transio eletrnica Radiao incidente Emisso de um fton

espectro de emisso de um tomo

espectro de emisso de um metal

Teoria das bandas de energia

Estudo da ligao metlica sob a tica da teoria dos OMs. A formao do metal Li (1s2 2s1). Juntando tomo a tomo: OMs = OAs. (Lembrando: a juno de dois OAs gera dois OMs)
Obedee ao princpio de excluso de Pauli (dois eltrons por OM).

Os eltrons iro ocupar sempre o OM de menor energia disponvel.

Teoria das bandas de energia

Molcula de Li6 2 4
* 2 s

Dois tomos Seis Quatro tomos de Li de Li

2s

Teoria das bandas de energia

Combinando n tomos de Li
Orbitais do Lin

2s n

} }

* 2s

2s

Parte superior do diagrama OMs vazios. Com uma pequena excitao os eltrons passam para um OM vazio. Qualquer transio eletrnica permitida.

Sobreposio de bandas de energia

Distribuio eletrnica do Be: 1s2 2s2 2p0 Conduo eletrnica do Be: 2,5 x 105 ohm -1.cm -1 Bandas com energias prximas podem se sobrepor!!!

* 2p

Orbitais Orbitais do do Be Be n n

2p
* 2s

n n tomos tomos de de Be Be

2s n

2s

Caractersticas e propriedades da ligao metlica

So no direcionais atrao eletrosttica. Fora da ligao metlica depende da carga dos ctions (Na (PE = 883o C); Mg (PF = 1090o C); Al (PF = 2519o C )) Brilho metlico interao dos eltrons do metal com os diversos comprimentos de onda incidentes (quase todas as transies so permitidas). Conduo da energia eltrica eltrons so promovidos a nveis energticos mais elevados que esto disponveis (vazios). Conduo de energia trmica:
Eltrons deslocalizados interagem fracamente com os ncleos. No aquecimento os eltrons adquirem grande quantidade de energia cintica e deslocam-se para as regies mais frias. Dissipao desta energia atravs de choque com outras partculas levando ao aquecimento do retculo. Vibrao dos ctions em suas posies no retculo cristalino tambm contribui razo pela qual a condutividade eltrica dos metais cai com o aumento da temperatura.

Caractersticas e propriedades da ligao metlica

Dureza, ponto de fuso e ponto de ebulio dependem primordialmente da fora da ligao metlica. Ductilidade capacidade de se deformar quando submetido a uma tenso trao ou compresso. Podem formar uma grande quantidade de ligas combinando-os com outros metais ou outros elementos da TP. Solues slidas cristalinas substitucionais (ctions tm tamanhos no muito dissimilares) ou intersticiais (tamanhos muito dissimilares)

Condutores, semi-condutores e isolantes

Metais so condutores por excelncia.

Condutores

Semicondutores

Isolantes

Bandas de conduo bandas proibidas

conductor semiconductor or insulator empty band overlapping bands filled bands atomic state conductor

empty band forbidden band gap filled bands atomic state

partially filled band filled band atomic state

small gap (~1 eV): semiconductor large gap (several eV): insulator

Bandas eletrnicas e bandas proibidas

Condutores: A banda de valncia est tanto somente parcialmente preenchida como se sobrepe com uma banda vazia. Um campo eltrico acelera os eltrons. Com a energia aumentada estes ainda cabem na parte vazia da banda. Os condutores so opacos. Isolantes: A banda de valncia est preenchida, o gap para a banda vazia de alguns eV. Os eltrons no conseguem vencer o gap termicamente. O campo eltrico tem que atingir 108 V/m para vencer o gap (campos menores sa insuficientes devido as colises). O material denominado isolante. Os isolantes so normalmente transparentes.

Semicondutores
T~0 K: Semicondutores e isolantes tem resitividades praticamente idnticas a T ambiente. room temperature Nos semicondutores, uma pequena frao de eltrons pode ser excitada termicamente para o gap da banda vazia. Estes poucos eltrons so suficientes para permitir que uma pequena corrente flua na presena de um campo E.

almost empty band, conduction band gap almost filled band, valence band

Dopagem
donor levels

n-type: replace few Si atoms by e.g. As Si has 4 valence electrons needed for covalent bond As has 5 valence electrons 1 excess electron excess electron needs fractions of eV to reach the conduction band excess electron state is called donor level Fermi energy is raised towards the conduction band p-type: same principle, but one electron too little e.g. replacement of Si by Ga excess vacancy, excess hole electron from the valence band can easily reach the so called acceptor levels

F
acceptor levels

Semi-condutores intrnsecos e extrnsecos

Semicondutores intrnsecos

Extrnsecos tipo-n

Extrnsecos tipo-p

Semi-condutores intrinsecos e extrinsecos tipo-n conduzem com pequeno aumento de temperatura ou entao com uma pequena ddp aplicada.

Semi-condutores intrnsecos e extrnsecos

Semi-condutores so geralmente semi-metais do grupo 14/IV Si e Ge:
4 eltrons na banda de conduo. Formam 4 ligaes no muito fortes.

Semi-condutores extrnsecos so obtidos por dopagem adio de pequenas quantidades de impurezas.

Semi-condutividade controlada.

Extrnseco tipo-n os condutores so eltrons em excesso:

Dopa-se o semi-condutor com um elemento com 5 eltrons na banda de conduo As ou P em Si slido. O eltron em excesso ir ocupar o nvel de energia do dopante que est prximo ao nvel vazio do semi-condutor.

Extrnseco tipo-p os condutores so buracos eletrnicos:

Dopagem com um elemento com apenas 3 eltrons na banda de conduo - B em Si slido. A banda de conduo no fica totalmente cheia. Conduo por buracos eletrnicos. Cargas positivas conduzem eletricidade.