UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA

RELATÓRIO I: CARACTERÍSTICAS DE DIODOS

EXPERIMENTAL DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I

PROFESSOR:
DR. ANDRÉ LUIZ AGUIAR DA COSTA

ALUNOS:
DOUGLAS ARANTES SANTOS DA SILVA - 12011ECP031
LEONARDO VECCHI MEIRELLES - 12011ECP002

UBERLÂNDIA - MG
14/06/2022
DOUGLAS ARANTES SANTOS DA SILVA - 12011ECP031
LEONARDO VECCHI MEIRELLES - 12011ECP002

EXPERIMENTAL DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Relatório sobre as características de

diodos para a Disciplina de
Experimental de Eletrônica Analógica
do curso de Engenharia de
Computação.
Orientador: Professor Dr. André Luiz
Aguiar da Costa

UBERLÂNDIA - MG
2022

2
 SUMÁRIO

1 LISTA DE FIGURAS ........................................................................................... 4

2 INTRODUÇÃO .................................................................................................. 10

3 OBJETIVOS ...................................................................................................... 14

4 PARTE EXPERIMENTAL ................................................................................. 15

4.1 EQUIPAMENTOS E COMPONENTES UTILIZADOS ................................ 15

4.2 TESTE DE OPERAÇÃO DO DIODO SEMICONDUTOR ........................... 15

4.3 LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

SEMICONDUTOR ................................................................................................ 16

4.4 DIODOS LIMITADORES DE TENSÃO ...................................................... 45

4.5 CIRCUITOS RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA EM PONTE ........ 50

4.6 FONTE DE TENSÃO AC~DC ..................................................................... 54

4.7 DIODO ZENERS ......................................................................................... 67

5 CONCLUSÃO.................................................................................................... 73

6 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ................................................................. 74

3
1 LISTA DE FIGURAS

Figura 4.1.1: (a) Material do tipo n; (b) material do tipo p[1] ................................ 10
Figura 4.1.2: Distribuição interna de carga para a junção p-n[1] ........................ 11
Figura 4.1.3: Junção p-n diretamente polarizada: (a) distribuição interna de
cargas sob condição de polarização direta; (b) polaridade de polarização direta
e sentido da corrente resultante. .......................................................................... 11
Figura 4.1.4: Junção p-n reversamente polarizada: (a) distribuição interna de
cargas sob condição de polarização reversa; (b) polaridade de polarização
reversa e sentido da corrente de saturação reversa........................................... 12
Figura 4.1.5: Curva característica de um diodo[1] ................................................ 12
Figura 4.1.6: Comparação de diodos comerciais de Ge, Si e GaAs .................. 13
Figura 4.2.1: Verificação do diodo para polarização direta ................................ 16
Figura 4.2.2: Verificação do diodo para polarização reversa ............................. 16
Figura 4.3.1: Curva característica do diodo semicondutor[1] ............................. 17
Figura 4.3.2: Esquemático para o experimento ................................................... 18
Figura 4.3.3: Montagem do esquemático da Figura 4.3.2 ................................... 18
Figura 4.3.4: Visão geral da montagem ................................................................ 18
Figura 4.3.5: Fonte de tensão próximo de 0 V ..................................................... 19
Figura 4.3.6: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA ............................ 19
Figura 4.3.7: Multímetro medindo aproximadamente 0 V ................................... 20
Figura 4.3.8: Fonte de tensão em 0,5 V ................................................................ 20
Figura 4.3.9: Amperímetro medindo aproximadamente 1,8 mA ......................... 20
Figura 4.3.10: Multímetro medindo aproximadamente 0,08 V ............................ 21
Figura 4.3.11: Fonte de tensão em 1 V ................................................................. 21
Figura 4.3.12: Amperímetro medindo aproximadamente 2 mA .......................... 21
Figura 4.3.13: Multímetro medindo aproximadamente 0,5 V .............................. 22
Figura 4.3.14: Fonte de tensão em 3 V ................................................................. 22
Figura 4.3.15: Amperímetro medindo aproximadamente 3,8 mA ....................... 23
Figura 4.3.16: Multímetro medindo aproximadamente 2,386 V .......................... 23
Figura 4.3.17: Fonte de tensão em 5 V ................................................................. 23
Figura 4.3.18: Amperímetro medindo aproximadamente 5,5 mA ....................... 24
Figura 4.3.19: Multímetro medindo aproximadamente 4,338 V .......................... 24
Figura 4.3.20: Fonte de tensão em 7 V ................................................................. 24

4
Figura 4.3.21: Amperímetro medindo aproximadamente 7,5 mA ....................... 25
Figura 4.3.22: Multímetro medindo aproximadamente 6,26 V ............................ 25
Figura 4.3.23: Fonte de tensão em 9 V ................................................................. 25
Figura 4.3.24: Amperímetro medindo aproximadamente 10 mA ........................ 26
Figura 4.3.25: Multímetro medindo aproximadamente 8,21 V ............................ 26
Figura 4.3.26: Gráfico da curva do diodo obtido para o experimento ............... 27
Figura 4.3.27: Montagem do circuito anterior utilizando um diodo Zener ........ 28
Figura 4.3.28: Curva característica da região Zener[1]; ID = Corrente do diodo;
VD = tensão do diodo ............................................................................................ 28
Figura 4.3.29: Fonte de tensão próximo de 0 V ................................................... 29
Figura 4.3.30: Amperímetro medindo aproximadamente -2 mA......................... 29
Figura 4.3.31: Multímetro medindo aproximadamente 0 V ................................. 29
Figura 4.3.32: Fonte de tensão de -0,5 V .............................................................. 30
Figura 4.3.33: Amperímetro medindo aproximadamente -2 mA......................... 30
Figura 4.3.34: Multímetro medindo aproximadamente -0,001 V ......................... 30
Figura 4.3.35: Fonte de tensão de -1 V ................................................................. 31
Figura 4.3.36: Amperímetro medindo aproximadamente -2,2 mA...................... 31
Figura 4.3.37: Multímetro medindo aproximadamente -0,318 V ......................... 31
Figura 4.3.38: Fonte de tensão de -3,0 V .............................................................. 32
Figura 4.3.39: Amperímetro medindo aproximadamente -4 mA......................... 32
Figura 4.3.40: Multímetro medindo aproximadamente -2,281 V ......................... 32
Figura 4.3.41: Fonte de tensão de -5 V ................................................................. 33
Figura 4.3.42: Amperímetro medindo aproximadamente -5,5 mA...................... 33
Figura 4.3.43: Multímetro medindo aproximadamente -4,136 V ......................... 33
Figura 4.3.44: Fonte de tensão de -7 V ................................................................. 34
Figura 4.3.45: Amperímetro medindo aproximadamente -7,5 mA...................... 34
Figura 4.3.46: Multímetro medindo aproximadamente -6,17 V ........................... 34
Figura 4.3.47: Fonte de tensão de -9 V ................................................................. 35
Figura 4.3.48: Amperímetro medindo aproximadamente -10 mA....................... 35
Figura 4.3.49: Multímetro medindo aproximadamente -8,09 V ........................... 35
Figura 4.3.50: Curva característica para o diodo Zener polarizado reversamente
para o experimento ................................................................................................ 36
Figura 4.3.51: Fonte de tensão o mais próximo de 0 V ....................................... 37
Figura 4.3.52: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA .......................... 37

5
Figura 4.3.53: Multímetro medindo aproximadamente 0 V ................................. 38
Figura 4.3.54: Fonte de tensão de 0,5 V ............................................................... 38
Figura 4.3.55: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA .......................... 38
Figura 4.3.56: Multímetro medindo aproximadamente 0,004 V .......................... 39
Figura 4.3.57: Fonte de tensão de 1 V .................................................................. 39
Figura 4.3.58: Amperímetro medindo aproximadamente 2 mA .......................... 40
Figura 4.3.59: Multímetro medindo aproximadamente 0,3 V .............................. 40
Figura 4.3.60: Fonte de tensão o mais próximo de 3 V ....................................... 40
Figura 4.3.61: Amperímetro medindo aproximadamente 3,75 mA ..................... 41
Figura 4.3.62: Multímetro medindo aproximadamente 2,256 V .......................... 41
Figura 4.3.63: Fonte de tensão de 5 V .................................................................. 41
Figura 4.3.64: Amperímetro medindo aproximadamente 5,5 mA ....................... 42
Figura 4.3.65: Multímetro medindo aproximadamente 4,184 V .......................... 42
Figura 4.3.66: Fonte de tensão de 7 V .................................................................. 42
Figura 4.3.67: Amperímetro medindo aproximadamente 7,5 mA ....................... 43
Figura 4.3.68: Multímetro medindo aproximadamente 6,161 V .......................... 43
Figura 4.3.69: Fonte de tensão de 9 V .................................................................. 43
Figura 4.3.70: Amperímetro medindo aproximadamente 10 mA ........................ 44
Figura 4.3.71: Multímetro medindo aproximadamente 8,10 V ............................ 44
Figura 4.3.72: Curva característica para o diodo Zener polarizado diretamente
para o experimento ................................................................................................ 45
Figura 4.4.1: Esquemático para o experimento[2] ................................................ 46
Figura 4.4.2: Formato de onda de um circuito limitador de tensão ................... 46
Figura 4.4.3: Montagem do circuito para o experimento .................................... 47
Figura 4.4.4: Valores de pico a pico e frequência ............................................... 47
Figura 4.4.5: Sinal de entrada e saída .................................................................. 48
Figura 4.4.6: Valores de pico a pico e frequência ............................................... 48
Figura 4.4.7: Sinal de entrada e saída .................................................................. 49
Figura 4.4.8: Valores de pico a pico e frequência ............................................... 49
Figura 4.4.9: Sinal de entrada e saída .................................................................. 50
Figura 4.5.1: Retificador de onda completa em ponte para o experimento ...... 50
Figura 4.5.2: Caminho de condução para a região positiva de Vi ...................... 51
Figura 4.5.3: Caminho de condução para a polaridade negativa de Vi ............. 51
Figura 4.5.4: Montagem prática do retificador de onda completa em ponte .... 52

6
Figura 4.5.5: Regulação da fonte para o experimento ........................................ 52
Figura 4.5.6: Sinal de onda retificado a partir do circuito apresentado ............ 53
Figura 4.5.7: Representação da medição do valor eficaz utilizando um
multímetro............................................................................................................... 53
Figura 4.5.8: Valor eficaz em cima da carga medido pelo multímetro ............... 53
Figura 4.5.9: Valor médio de tensão medido utilizando um multímetro ............ 54
Figura 4.6.1: Esquemático para o experimento de fontes AC~DC. .................... 55
Figura 4.6.2: Montagem do circuito retificador sem capacitor .......................... 55
Figura 4.6.3: Conexões com transformador ........................................................ 56
Figura 4.6.4: Visão geral da montagem ................................................................ 56
Figura 4.6.5: Medição da tensão elétrica em cima da carga de 10 kΩ ............... 56
Figura 4.6.6: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF ............ 57
Figura 4.6.7: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 10µF
................................................................................................................................. 57
Figura 4.6.8: Montagem do circuito retificador com capacitor de 22µF ............ 58
Figura 4.6.9: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 22µF
................................................................................................................................. 58
Figura 4.6.10: Montagem do circuito retificador com capacitor de 47µF .......... 58
Figura 4.6.11: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de
47µF ......................................................................................................................... 59
Figura 4.6.12: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF ........ 59
Figura 4.6.13: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de
100µF ....................................................................................................................... 59
Figura 4.6.14: Valor de tensão RMS na carga de 10kΩ obtido pelo multímetro.
................................................................................................................................. 60
Figura 4.6.15: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF e
regulador de tensão LM7805 ................................................................................. 60
Figura 4.6.16: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 61
Figura 4.6.17: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF e
regulador de tensão LM7805 ................................................................................. 61
Figura 4.6.18: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 61

7
Figura 4.6.19: Montagem do circuito retificador com capacitor de 22µF e
regulador de tensão LM7805 ................................................................................. 61
Figura 4.6.20: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 62
Figura 4.6.21: Montagem do circuito retificador com capacitor de 47µF e
regulador de tensão LM7805 ................................................................................. 62
Figura 4.6.22: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 62
Figura 4.6.23: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF e
regulador de tensão LM7809 ................................................................................. 63
Figura 4.6.24: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 63
Figura 4.6.25: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF e
regulador de tensão LM7809 ................................................................................. 63
Figura 4.6.26: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima
................................................................................................................................. 64
Figura 4.6.27: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 100µF.
................................................................................................................................. 64
Figura 4.6.28: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de
100µF. ...................................................................................................................... 64
Figura 4.6.29: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 10µF.
................................................................................................................................. 65
Figura 4.6.30: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 10µF.
................................................................................................................................. 65
Figura 4.6.31: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 22µF.
................................................................................................................................. 66
Figura 4.6.32: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 22µF.
................................................................................................................................. 66
Figura 4.6.33: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 47µF.
................................................................................................................................. 66
Figura 4.6.34: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 47µF.
................................................................................................................................. 67
Figura 4.6.35: Capacitores disponíveis que possuem capacitâncias: 10µF, 22µF,
47µF e 100µF, da esquerda para a direita. ........................................................... 67

8
Figura 4.7.1: Comparação de curvas características de um diodo Zener e um
diodo comum .......................................................................................................... 68
Figura 4.7.2: Esquemático para o experimento de Diodo Zener[2] ..................... 68
Figura 4.7.3: Montagem do circuito para o experimento .................................... 69
Figura 4.7.4: Visão geral da montagem ................................................................ 69
Figura 4.7.5: Medição da tensão de 6,82 V sobre R2 .......................................... 70
Figura 4.7.6: Medição da corrente de 12 mA sobre D2 ....................................... 70
Figura 4.7.7: Medição da tensão de 6,77 V sobre R2 .......................................... 70
Figura 4.7.8: Medição da corrente 3,75 mA sobre D2 ......................................... 71
Figura 4.7.9: Medição da tensão de 1,352 V sobre R2 ........................................ 71
Figura 4.7.10: Medição da corrente 1,25 mA sobre D2 ....................................... 71

Tabela 4.3.1: Valores medidos e calculados para polarização direta do diodo 26

Tabela 4.3.2: Valores medidos e calculados para polarização reversa do diodo
Zener ....................................................................................................................... 36
Tabela 4.3.3: Valores medidos e calculados para polarização direta do diodo
Zener ....................................................................................................................... 44

9
2 INTRODUÇÃO

Os diodos, em uma visão ampla, são dispositivos eletrônicos capazes de

controlar a tensão e o sentido da corrente elétrica de um circuito. Essa característica
existe graças a sua construção interna que une um material do tipo p e um material
do tipo n. Ambos são frutos do processo de dopagem que adiciona impurezas à
constituição de materiais intrínsecos como os cristais de Silício. O resultado dessa
adição pode gerar tanto um material extrínseco com mais elétrons livres ou mais
lacunas disponíveis.

Figura 4.1.1: (a) Material do tipo n; (b) material do tipo p[1]

Quando as lacunas são a maioria, elas são chamadas de portadores

majoritários e o material é do tipo p. Em contrapartida, para o material do tipo n, os
elétrons compõem a maioria e, por isso, eles são os portadores majoritários. Juntos
eles formam o diodo por meio da simples união de suas fronteiras. Dessa forma, os
elétrons e as lacunas se combinam e criam uma região constituída apenas por íons
próximos à junção chamada de região de depleção.

10
 Figura 4.1.2: Distribuição interna de carga para a junção p-n[1]

O princípio de funcionamento do diodo baseia-se na superação da região de

depleção por meio da uma tensão elétrica aplicada. Então, quando o diodo está
polarizado diretamente, ou seja, o maior potencial elétrico está sobre o terminal do
material p e o menor potencial em cima do material n, acontece a redução da região
de depleção e a corrente elétrica pode fluir com intensidade através da junção.

Figura 4.1.3: Junção p-n diretamente polarizada: (a) distribuição interna de cargas sob condição de
polarização direta; (b) polaridade de polarização direta e sentido da corrente resultante.

Contudo, se o diodo está polarizado reversamente, ou seja, o oposto da

situação anterior, não acontece condução em razão da barreira que a região depleção
oferece aos elétrons. Mesmo assim, ainda é possível superar essa barreira se a
tensão elétrica aplicada for elevada o suficiente para fazer o diodo operar na região
de Zener.

11
Figura 4.1.4: Junção p-n reversamente polarizada: (a) distribuição interna de cargas sob condição de
polarização reversa; (b) polaridade de polarização reversa e sentido da corrente de saturação
reversa

Tanto a região de condução para polarização direta quanto a região Zener

necessitam que um potencial elétrico mínimo seja atingido antes que a corrente
elétrica possa fluir. Essas tensões são conhecidas, respectivamente, como tensão de
"joelho" e tensão de Zener, devido ao formato da curva característica de um diodo. A
primeira é simbolizada por Vk e a segunda por Vz ou VBV.

Figura 4.1.5: Curva característica de um diodo[1]

Os valores de Vk e Vz mudam para diodos de materiais diferentes. Os diodos

mais comuns são de Silício, de Germânio e de Arseneto de Gálio. Eles são tão usados
que seus valores de Vk são decorados conforme a Figura 2.6. Entretanto, sempre que
houver dúvida pesquise no datasheet do diodo fornecido pelo fabricante.

12
Figura 4.1.6: Comparação de diodos comerciais de Ge, Si e GaAs

13
3 OBJETIVOS

Este relatório tem o intuito de verificar experimentalmente as características de

diodos. Para isso, a parte experimental foi dividida em 6 experimentos em que cada
um aborda um aspecto do funcionamento, utilização e limitação do diodo. Os
experimentos 4.2 e 4.3 tratam dos fundamentos da teoria de diodos, enquanto os
experimentos 4.4, 4.5, 4.6 e 4.7 expõem as aplicações do dispositivo.

14
4 PARTE EXPERIMENTAL

4.1 EQUIPAMENTOS E COMPONENTES UTILIZADOS

● 1 osciloscópio;
● 1 gerador de função;
● 1 multímetro digital;
● 1 amperímetro analógico;
● 1 fonte de alimentação;
● 1 protoboard;
● 4 diodos 1N4007 (ou equivalente);
● 1 diodo Zener 1N754A (ou equivalente desde que VZ = 6,8V e IZ
máx > 15 mA);
● 2 resistências 1kΩ;
● 1 resistência 10 kΩ;
● 1 resistência 100Ω;
● 1 capacitor de 10μF;
● 1 capacitor de 22μF;
● 1 capacitor de 47μF;
● 1 capacitor de 100μF;
● 1 LM7805;
● 1 Potenciômetro (preferencialmente linear) de 10kΩ.

4.2 TESTE DE OPERAÇÃO DO DIODO SEMICONDUTOR

Antes da realização de qualquer experimento que envolva componentes

eletrônicos é necessário testá-los. Dessa forma, será garantido o funcionamento do
diodo e, assim, a validade do experimento.
O processo de verificação a seguir foi realizado para todos os
experimentos deste relatório. Para exemplificação, o diodo 1N4007 foi fixado na
protoboard. Em seguida, foram conectadas as ponteiras do multímetro na função de
verificação de diodo nos terminais do dispositivo. O diodo será considerado em bom
estado se passar nos testes de polarização direta e reversa.

15
 Na polarização direta (Figura 4.2.1), a ponteira positiva do multímetro
deve ser ligada ao terminal correspondente ao material do tipo p, enquanto a ponteira
negativa, ao material do tipo n. Assim, o aparelho induz uma corrente de teste no
diodo e indica se existe uma diferença de potencial entre os terminais. O valor teórico
esperado de tensão para um diodo de silício é de 0,7 V. Porém, a indução da corrente
de teste é muito pequena e, por isso, o valor obtido foi um pouco menor.

Figura 4.2.1: Verificação do diodo para polarização direta

Na polarização reversa (Figura 4.2.2), as ponteiras do multímetro devem

ser conectadas na ordem inversa em relação à medição anterior. Logo, o valor de
tensão esperado sobre o diodo deve ser zero, já que o princípio de funcionamento do
diodo corta a corrente nesse sentido de acordo com a Figura 4.2.2.

Figura 4.2.2: Verificação do diodo para polarização reversa

4.3 LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

SEMICONDUTOR

Para levantar a curva característica de um diodo, é necessário

inspecionar sua construção interna. Esse dispositivo é formado pela junção de um
material composto por lacunas como portadores majoritários e outro material
composto por elétrons como cargas majoritárias.

16
 Na condição de polarização igual a 0 V, o resultado dessa união implica
na criação da região de depleção, onde não existem portadores livres. Porém, quando
ocorre polarização direta, os elétrons do material do tipo n e as lacunas do material
do tipo p se recombinam com os íons próximos à fronteira e reduzem a largura dessa
região. À medida que a tensão aplicada aumenta em magnitude, a região de depleção
continuará a diminuir em largura até que uma corrente de elétrons possa passar
através da junção, resultando em um aumento exponencial de corrente conforme a
Figura 4.3.1.

Figura 4.3.1: Curva característica do diodo semicondutor[1]

Posto isso, a fim de comprovar experimentalmente esse

comportamento, montou-se o esquemático da Figura 4.3.2 na protoboard.

17
 Figura 4.3.2: Esquemático para o experimento

Figura 4.3.3: Montagem do esquemático da Figura 4.3.2

Figura 4.3.4: Visão geral da montagem

18
 As medições foram divididas em 7 etapas ao passo que o valor da fonte
de tensão DC mudava. Em cada uma delas foram medidas a tensão do voltímetro, a
corrente do diodo e calculada a tensão aplicada ao diodo a partir da diferença da
tensão da fonte DC e da tensão do voltímetro.
Além disso, todas as aferições a seguir foram realizadas para
polarização direta, já que a polarização reversa não seria possível verificar com o
diodo 1N4007 devido às suas características e à limitação da fonte de tensão
presente no laboratório. Contudo, a polarização reversa será discutida posteriormente
neste experimento utilizando o diodo Zener para tal objetivo.

● Fonte de Tensão igual a 0 V

Figura 4.3.5: Fonte de tensão próximo de 0 V

Figura 4.3.6: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA

19
 Figura 4.3.7: Multímetro medindo aproximadamente 0 V

● Fonte de Tensão igual a 0,5 V

Figura 4.3.8: Fonte de tensão em 0,5 V

Figura 4.3.9: Amperímetro medindo aproximadamente 1,8 mA

20
 Figura 4.3.10: Multímetro medindo aproximadamente 0,08 V

● Fonte de Tensão igual a 1 V

Figura 4.3.11: Fonte de tensão em 1 V

Figura 4.3.12: Amperímetro medindo aproximadamente 2 mA

21
 Figura 4.3.13: Multímetro medindo aproximadamente 0,5 V

● Fonte de Tensão igual a 3 V

Figura 4.3.14: Fonte de tensão em 3 V

22
 Figura 4.3.15: Amperímetro medindo aproximadamente 3,8 mA

Figura 4.3.16: Multímetro medindo aproximadamente 2,386 V

● Fonte de Tensão igual a 5 V

Figura 4.3.17: Fonte de tensão em 5 V

23
 Figura 4.3.18: Amperímetro medindo aproximadamente 5,5 mA

Figura 4.3.19: Multímetro medindo aproximadamente 4,338 V

● Fonte de Tensão igual a 7 V

Figura 4.3.20: Fonte de tensão em 7 V

24
 Figura 4.3.21: Amperímetro medindo aproximadamente 7,5 mA

Figura 4.3.22: Multímetro medindo aproximadamente 6,26 V

● Fonte de Tensão igual a 9 V

Figura 4.3.23: Fonte de tensão em 9 V

25
 Figura 4.3.24: Amperímetro medindo aproximadamente 10 mA

Figura 4.3.25: Multímetro medindo aproximadamente 8,21 V

Os resultados foram registrados na Tabela 4.3.1, lembrando que a

tensão de polarização aplicada ao diodo foi calculada.

Tabela 4.3.1: Valores medidos e calculados para polarização direta do diodo

Tensão da Tensão do Tensão de Polarização Corrente do

Fonte DC (V) Voltímetro (V) Aplicada ao Diodo VD (V) Diodo (mA)
0 0 0 1

0,5 0,08 0,42 1,8

1 0,5 0,5 2

3 2,386 0,614 3,8

26
 Tensão da Tensão do Tensão de Polarização Corrente do
Fonte DC (V) Voltímetro (V) Aplicada ao Diodo VD (V) Diodo (mA)
0 0 0 1

0,5 0,08 0,42 1,8

5 4,337 0,663 5,5

7 6,26 0,74 7,5

9 8,21 0,79 10

Com a intenção de melhor analisar os valores obtidos, foi traçado o

gráfico Figura 4.3.26 para a curva do diodo a partir da Tabela 4.3.1. É importante
considerar que não é um gráfico com uma curva bem definida igual à teoria prevê e
nem mesmo àqueles comercialmente conhecidos, em razão do número de medições
feitas ser muito pequeno. Contudo, foi suficiente para validar o comportamento do
diodo.

Figura 4.3.26: Gráfico da curva do diodo obtido para o experimento

Observando o gráfico da Figura 4.3.26, nota-se que a situação

apresenta a curva de “joelho” do diodo de silício, já que sua tensão de joelho é de 0,7
V e a curva se comporta de modo semelhante ao esperado. Dessa forma, fica claro

27
que à medida que a tensão aplicada ao diodo aumenta, a corrente elétrica aumenta
também, graças à redução da região de depleção conforme exposto anteriormente.
Após o experimento para a polarização direta do diodo, as medições
foram refeitas, entretanto, utilizando o diodo Zener para verificação da polarização
reversa. Assim, as conexões da fonte de tensão com a protoboard devem ser
invertidas para polarizar reversamente o sistema.

Figura 4.3.27: Montagem do circuito anterior utilizando um diodo Zener

Para que o relatório não fique redundante, a explicação mais detalhada

do funcionamento do diodo Zener será deixada para o experimento 4.7 que trata
especialmente desse dispositivo. Por enquanto, é suficiente saber que uma
característica dele é permitir que a corrente elétrica possa passar pela região zener
através dele polarizado reversamente, se atingir um potencial de polarização reversa
Vz menor em módulo que o potencial de um diodo comum.

Figura 4.3.28: Curva característica da região Zener[1]; ID = Corrente do diodo; VD = tensão do diodo

28
 Novamente, as medições foram divididas em 7 etapas em função da
tensão da fonte DC e os resultados foram registrados na Tabela 4.3.2.

● Fonte de Tensão igual a 0 V

Figura 4.3.29: Fonte de tensão próximo de 0 V

Figura 4.3.30: Amperímetro medindo aproximadamente -2 mA

Figura 4.3.31: Multímetro medindo aproximadamente 0 V

29
● Fonte de Tensão igual a 0,5 V

Figura 4.3.32: Fonte de tensão de -0,5 V

Figura 4.3.33: Amperímetro medindo aproximadamente -2 mA

Figura 4.3.34: Multímetro medindo aproximadamente -0,001 V

30
● Fonte de Tensão igual a 1 V

Figura 4.3.35: Fonte de tensão de -1 V

Figura 4.3.36: Amperímetro medindo aproximadamente -2,2 mA

Figura 4.3.37: Multímetro medindo aproximadamente -0,318 V

31
● Fonte de Tensão igual a 3 V

Figura 4.3.38: Fonte de tensão de -3,0 V

Figura 4.3.39: Amperímetro medindo aproximadamente -4 mA

Figura 4.3.40: Multímetro medindo aproximadamente -2,281 V

● Fonte de Tensão igual a 5 V

32
 Figura 4.3.41: Fonte de tensão de -5 V

Figura 4.3.42: Amperímetro medindo aproximadamente -5,5 mA

Figura 4.3.43: Multímetro medindo aproximadamente -4,136 V

33
● Fonte de Tensão igual a 7 V

Figura 4.3.44: Fonte de tensão de -7 V

Figura 4.3.45: Amperímetro medindo aproximadamente -7,5 mA

Figura 4.3.46: Multímetro medindo aproximadamente -6,17 V

34
● Fonte de Tensão igual a 9 V

Figura 4.3.47: Fonte de tensão de -9 V

Figura 4.3.48: Amperímetro medindo aproximadamente -10 mA

Figura 4.3.49: Multímetro medindo aproximadamente -8,09 V

35
 Tabela 4.3.2: Valores medidos e calculados para polarização reversa do diodo Zener

Tensão da Tensão do Tensão de Polarização Corrente do

Fonte DC (V) Voltímetro (V) Aplicada ao Diodo VD (V) Diodo (mA)
0 0 0 -2

-0,5 -0,001 -0,501 -2

-1 -0,318 -1,318 -2,2

-3 -2,281 -5,281 -4

-5 -4,136 -9,136 -5,5

-7 -6,17 -13,17 -7,5

-9 -8,09 -17,09 -10

Analisando a Tabela 4.3.2, é possível confirmar que o experimento foi

realizado em polarização reversa devido aos valores negativos apresentados.
Todavia, o gráfico da Figura 4.3.50 foi construído, a fim de verificar o comportamento
da curva característica do diodo na região Zener.

Figura 4.3.50: Curva característica para o diodo Zener polarizado reversamente para o experimento

36
 Mais uma vez, a curva apresentada não poderia ser bem definida igual
a teoria afirma.
É notável que a corrente permanece constante em -2 mA e à medida
que o módulo da tensão aplicada ao diodo Zener aumenta, o módulo da corrente
elétrica também aumenta. Logo, assim que a tensão de Zener é atingida, a corrente
começa a fluir com maior intensidade.
Um ponto interessante de comparação foi realizado também para a
polarização direta do diodo Zener. Embora ele seja favorável para trabalhar na região
Zener, esse diodo ainda possui as mesmas características de um diodo comum
quando está polarizado diretamente.
Então, analogamente aos passos anteriores, as medições foram
refeitas, porém, com o Zener polarizado diretamente. Assim, as conexões da fonte de
tensão DC com a protoboard foram invertidas.

● Fonte de Tensão igual a 0 V

Figura 4.3.51: Fonte de tensão o mais próximo de 0 V

Figura 4.3.52: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA

37
 Figura 4.3.53: Multímetro medindo aproximadamente 0 V

● Fonte de Tensão igual a 0,5 V

Figura 4.3.54: Fonte de tensão de 0,5 V

Figura 4.3.55: Amperímetro medindo aproximadamente 1 mA

38
 Figura 4.3.56: Multímetro medindo aproximadamente 0,004 V

● Fonte de Tensão igual a 1 V

Figura 4.3.57: Fonte de tensão de 1 V

39
 Figura 4.3.58: Amperímetro medindo aproximadamente 2 mA

Figura 4.3.59: Multímetro medindo aproximadamente 0,3 V

● Fonte de Tensão igual a 3 V

Figura 4.3.60: Fonte de tensão o mais próximo de 3 V

40
 Figura 4.3.61: Amperímetro medindo aproximadamente 3,75 mA

Figura 4.3.62: Multímetro medindo aproximadamente 2,256 V

● Fonte de Tensão igual a 5 V

Figura 4.3.63: Fonte de tensão de 5 V

41
 Figura 4.3.64: Amperímetro medindo aproximadamente 5,5 mA

Figura 4.3.65: Multímetro medindo aproximadamente 4,184 V

● Fonte de Tensão igual a 7 V

Figura 4.3.66: Fonte de tensão de 7 V

42
 Figura 4.3.67: Amperímetro medindo aproximadamente 7,5 mA

Figura 4.3.68: Multímetro medindo aproximadamente 6,161 V

● Fonte de Tensão igual a 9 V

Figura 4.3.69: Fonte de tensão de 9 V

43
 Figura 4.3.70: Amperímetro medindo aproximadamente 10 mA

Figura 4.3.71: Multímetro medindo aproximadamente 8,10 V

Os resultados obtidos foram registrados na Tabela 4.3.3 e o gráfico da

Figura 4.3.72 foi traçado a partir dela.

Tabela 4.3.3: Valores medidos e calculados para polarização direta do diodo Zener

Tensão da Tensão do Tensão de Polarização Corrente do

Fonte DC (V) Voltímetro (V) Aplicada ao Diodo VD (V) Diodo (mA)
0 0 0 1

0,5 0,004 0,496 1

1 0,3 0,7 2

3 2,256 0,744 3,75

5 4,181 0,819 5,5

7 6,161 0,839 7,5

44
 Tensão da Tensão do Tensão de Polarização Corrente do
Fonte DC (V) Voltímetro (V) Aplicada ao Diodo VD (V) Diodo (mA)
0 0 0 1

0,5 0,004 0,496 1

9 8,1 0,9 10

Figura 4.3.72: Curva característica para o diodo Zener polarizado diretamente para o experimento

Analisando o gráfico da Figura 4.3.72, fica claro o comportamento

exponencial da curva do diodo semicondutor. A corrente elétrica aumenta
vagarosamente até atingir a tensão de joelho Vk e, então, se eleva rapidamente. Logo,
fica comprovado que o diodo Zener trabalha igualmente a um diodo comum quando
polarizado diretamente.

4.4 DIODOS LIMITADORES DE TENSÃO

O diodo pode ser usado para limitar a tensão de circuito, se for disposto
e combinado de forma adequada. Assim, considerando a Figura 4.4.1, os dois diodos
foram colocados em paralelo, mas as suas polaridades definidas estão invertidas em
relação um ao outro.

45
 Figura 4.4.1: Esquemático para o experimento[2]

Quando o gerador de função estiver ligado, o semiciclo positivo do sinal

irá aumentar sem que o diodo D1 conduza até atingir sua tensão V k = 0,7 V. Assim
que a tensão de joelho de D1 for atingida, o diodo atuará como uma fonte de tensão
constante. Por isso, o nome de diodo limitador de tensão.
Analogamente, durante o semiciclo negativo do sinal, a onda irá
aumentar em magnitude, enquanto o diodo D2 não conduz. Logo que a tensão V k de
D2 for atingida, ele se comportará como uma fonte de tensão constante sem admitir
que a tensão aumente a partir de então. Esse comportamento pode ser visto na Figura
4.4.2.

Figura 4.4.2: Formato de onda de um circuito limitador de tensão

Desse modo, o esquemático da Figura 4.4.1 foi montado na protoboard

como mostra a Figura 4.4.3.

46
 Figura 4.4.3: Montagem do circuito para o experimento

Após a montagem, a verificação do valor das pontas de prova foi

ajustado para ser o mesmo do osciloscópio. Feito isso, foram realizadas três
medições para os sinais senoidais de entrada e saída em função do valor de pico.

● Valor de pico igual a 0,5 V

Figura 4.4.4: Valores de pico a pico e frequência

47
 Figura 4.4.5: Sinal de entrada e saída

Neste caso, a tensão é menor que 0,7 V. Por isso, o sinal de entrada
não é limitado para sinal de saída, já que os diodos não conduzem nesta situação,
como foi discutido anteriormente.

● Valor de pico igual a 1,0 V

Figura 4.4.6: Valores de pico a pico e frequência

48
 Figura 4.4.7: Sinal de entrada e saída

Como o valor de pico supera a tensão Vk dos diodos, significa que eles
conduzem cada um a seu momento. Entretanto, o sinal de saída é diferente de 1,0
V, porque os diodos não admitem que a tensão de saída se eleve além das suas
tensões de joelho.

● Valor de pico igual a 5,0 V

Figura 4.4.8: Valores de pico a pico e frequência

49
 Figura 4.4.9: Sinal de entrada e saída

Esta última medição reafirma a constatação anterior. O sinal de saída é

próximo a 0,7 V apesar do sinal de entrada ser maior. Logo, o sinal de entrada só
coincide com o sinal de saída se os diodos não estiverem polarizados diretamente em
seu turno.

4.5 CIRCUITOS RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA EM PONTE

Um circuito retificador de onda completa pode ser obtido utilizando

quatro diodos em ponte conforme a Figura 4.5.1. Essa configuração permite que a
corrente elétrica flua pela carga apresentando a mesma polaridade tanto para o
semiciclo positivo quanto para o semiciclo negativo.

Figura 4.5.1: Retificador de onda completa em ponte para o experimento

50
 Então, quando o sinal de entrada é positivo, os diodos D3 e D1 estão
conduzindo, enquanto os diodos D2 e D4 não estão. Dessa forma, o caminho
resultante para a corrente elétrica passar está representado pela Figura 4.5.2. Em
contrapartida, para o sinal de entrada negativo, apenas os diodos D2 e D4 estão
conduzindo como mostra a Figura 4.5.3.

Figura 4.5.2: Caminho de condução para a região positiva de Vi

Figura 4.5.3: Caminho de condução para a polaridade negativa de Vi

Com essa análise em mente, foi montado o circuito da Figura 4.5.1 na

protoboard para a verificação. A frequência do gerador de função foi regulada para
60 Hz e a tensão foi ajustada para 5 V, já que não seria possível alcançar 127 V no
aparelho. Além disso, o valor da atenuação da ponta de prova foi configurado para
ser o mesmo selecionado no osciloscópio.

51
 Figura 4.5.4: Montagem prática do retificador de onda completa em ponte

Figura 4.5.5: Regulação da fonte para o experimento

Feito isso, o experimento foi dividido em 5 etapas. As três primeiras

objetivam verificar e justificar a diferença entre os valores de tensão medidos pelo
osciloscópio e pelo multímetro. Por fim, as duas últimas, envolvem o cálculo do valor
eficaz de tensão em cima da carga somado à verificação e justificativa do valor da
frequência do sinal de saída.
Com a montagem realizada, o primeiro passo intenciona a visualização
do sinal a partir do circuito apresentado anteriormente. Utilizando o osciloscópio,
foram realizadas as medições do valor eficaz de tensão em cima da carga, conforme
demonstrado na Figura 4.5.6 abaixo. Tal medição foi realizada novamente, porém
fazendo uso de um multímetro (Figuras 4.5.8 e 4.5.9).
Dessa forma, é perceptível certa diferença entre tais resultados, o que
é justificável pela diferente precisão que cada aparelho possui, sendo o osciloscópio
mais preciso.

52
 Figura 4.5.6: Sinal de onda retificado a partir do circuito apresentado

Figura 4.5.7: Representação da medição do valor eficaz utilizando um multímetro

Figura 4.5.8: Valor eficaz em cima da carga medido pelo multímetro

53
 Figura 4.5.9: Valor médio de tensão medido utilizando um multímetro

Para fins de verificação, foram realizados os cálculos do valor eficaz

1
teórico, cuja fórmula geral é dada por: √𝑛 ∑∞ 2
𝑖=1 𝑛𝑖 . Porém, no caso específico que está

sendo tratado, por se tratar de um sinal de onda senoidal, pode-se calcular o valor
𝑉𝑃
eficaz a partir de: . Assim, concluiu-se que, para o valor de pico a pico obtido com
√2

o valor de 8,6 V, o resultado calculado é de 6,08 V. Novamente, próximo do valor

apresentado pelo osciloscópio (5,78 V) e pelo multímetro (4,875 V).
Outra análise possível de ser abordada remete às frequências de saída
e entrada. A frequência do sinal de entrada, apresentada anteriormente, é de 60 Hz,
mas, ao passar pelo retificador de onda completa, a parcela negativa da onda é
rebatida para cima, como demonstrado na Figura 4.5.6, fazendo com que seu período
seja reduzido pela metade e, por consequência, sua frequência de saída dobre,
alcançando 120 Hz.

4.6 FONTE DE TENSÃO AC~DC

Uma das várias aplicações do diodo retificador está na construção de

uma fonte de tensão AC~DC. Então, se combinarmos o circuito retificador de onda
completa em ponte com um filtro capacitivo, é possível converter um sinal alternado
em contínuo com bastante precisão. A Figura 4.6.1 mostra o circuito proposto para
este experimento.

54
 Figura 4.6.1: Esquemático para o experimento de fontes AC~DC.

Figura 4.6.2: Montagem do circuito retificador sem capacitor

Como apresentado no esquemático, o transformador foi utilizado como

diminuidor de tensão e possui especificação 10:1, ou seja, a tensão de entrada é 10
vezes maior do que a de saída. No transformador disponível, era possível utilizá-lo
para uma tensão de 110 V ou 220 V e transformá-la em uma tensão de 12 V ou 24
V. Para o experimento em questão, ligou-se as entradas em cada extremo do
transformador para receber 220 V, já que do meio para uma ponta ele está apto para
receber 110 V, e obteve-se uma tensão de 12 V na saída, conectando uma ponta em
um extremo e outra no meio, como indicado na figura abaixo.

55
 Figura 4.6.3: Conexões com transformador

Figura 4.6.4: Visão geral da montagem

Com a montagem do circuito demonstrada acima, que representa o

mesmo esquemático do retificador de onda completa em ponte realizado
anteriormente, a medição de tensão em cima da carga apresenta o seguinte
resultado:

Figura 4.6.5: Medição da tensão elétrica em cima da carga de 10 kΩ

56
 A partir de tal medição, pode-se calcular o valor RMS da tensão obtida
fazendo uso do valor máximo adquirido pelo osciloscópio de 18,4 V para fins de
verificação. Aplicando a mesma fórmula usada anteriormente para o cálculo do valor
eficaz, obtém-se como resultado 13,01 V, muito próximo do valor medido pelo
osciloscópio (12,707 V) e esperado como saída do transformador.
Além disso, é possível calcular o valor médio a partir da fórmula: 0,636 ⋅
(𝑉𝑃 − 2𝑉𝐷 ). Contudo, é necessário perceber que a parcela 𝑉𝐷 presente na equação
não entra nesse cálculo, pois a medição feita foi realizada após o retificador, já
levando em conta a tensão dos diodos. Assim, o resultado obtido é de 11,7 V, sendo
próxima do valor apresentado no osciloscópio (11,3 V).
Após a retificação, a onda passa por um filtro capacitivo, a fim de
transformar a tensão de saída em uma tensão contínua pura. Contudo, uma
ondulação fornecida pela fonte pode surgir devido ao valor do capacitor e da corrente
drenada pela carga. Essa ondulação, chamada de ripple, pode ser reduzida se o valor
de capacitância aumentar, já que a amplitude da onda está ligada com o tempo de
carga e descarga do capacitor, conforme as medições das Figuras de 4.6.6 - 4.6.13
demonstram.

Figura 4.6.6: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF

Figura 4.6.7: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 10µF

57
 Figura 4.6.8: Montagem do circuito retificador com capacitor de 22µF

Figura 4.6.9: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 22µF

Figura 4.6.10: Montagem do circuito retificador com capacitor de 47µF

58
 Figura 4.6.11: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 47µF

Figura 4.6.12: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF

Figura 4.6.13: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com um capacitor de 100µF

Com isso, foi realizada uma medição utilizando o multímetro com a

finalidade de verificar os resultados obtidos. Como demonstrado abaixo, o valor RMS
apresentado pelo aparelho é próximo do calculado e medido pelo osciloscópio.

59
 Figura 4.6.14: Valor de tensão RMS na carga de 10kΩ obtido pelo multímetro.

Em seguida, foi posicionado um regulador de tensão (7805) que, como

seu próprio nome sugere, regula a tensão, já retificada, para o valor desejado. No
caso do LM7805, se o circuito prover uma tensão maior do que a qual o regulador foi
fabricado, a tensão é regulada para tal valor, no caso, de 5V, como demonstrado nas
figuras abaixo.
Alterando-se o capacitor utilizado por um que possui maior capacitância,
a tensão de ripple apresentada diminuirá e o sinal será mais preciso e refinado, como
foi abordado anteriormente. Porém, como a diferença é muito pequena, tal redução
no valor da tensão de ripple não é notável.
Por fim, foi utilizado um regulador de tensão LM7809, que regula a
tensão para 9V.

Figura 4.6.15: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF e regulador de tensão
LM7805

60
 Figura 4.6.16: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

Figura 4.6.17: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF e regulador de tensão LM7805

Figura 4.6.18: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

Figura 4.6.19: Montagem do circuito retificador com capacitor de 22µF e regulador de tensão LM7805

61
 Figura 4.6.20: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

Figura 4.6.21: Montagem do circuito retificador com capacitor de 47µF e regulador de tensão LM7805

Figura 4.6.22: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

62
Figura 4.6.23: Montagem do circuito retificador com capacitor de 10µF e regulador de tensão LM7809

Figura 4.6.24: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

Figura 4.6.25: Montagem do circuito retificador com capacitor de 100µF e regulador de tensão
LM7809

63
 Figura 4.6.26: Sinal de tensão obtido na carga de 10kΩ com a montagem acima

Para uma melhor visualização da tensão de ripple, o mesmo experimento foi

realizado novamente, mas com uma resistência menor (1 kΩ). Contudo, uma
resistência de 1 kΩ comum não é capaz de suportar a potência que recai sobre ela e
queima, por isso faz-se necessário o uso de uma resistência que suporte tal potência,
como apresentado na figura abaixo.

Figura 4.6.27: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 100µF.

Figura 4.6.28: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 100µF.

64
 A partir da medição realizada acima, pode-se perceber que, mesmo com o
maior capacitor disponível, a tensão de ripple ainda é bem visível, comprovando que,
ao diminuir a resistência do circuito, a corrente média que passa pela carga aumenta
𝐼
para uma mesma tensão (Lei de Ohm) e, pela fórmula da tensão de ripple: 𝑉𝑅 = 𝐹𝐶 ,

aumentando a corrente (I), para uma mesma frequência (F) e capacitância (C), a
tensão de ripple (𝑉𝑅 ) também aumentará.
Da mesma forma, ao diminuir a capacitância, mantendo a carga, a tensão de
ripple aumentará ainda mais, conforme apresentado nas figuras abaixo que possuem
capacitores de menor capacitância.

Figura 4.6.29: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 10µF.

Figura 4.6.30: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 10µF.

65
 Figura 4.6.31: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 22µF.

Figura 4.6.32: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 22µF.

Figura 4.6.33: Medição da tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 47µF.

66
 Figura 4.6.34: Sinal obtido de tensão na carga de 1kΩ com um capacitor de 47µF.

Figura 4.6.35: Capacitores disponíveis que possuem capacitâncias: 10µF, 22µF, 47µF e 100µF, da
esquerda para a direita.

4.7 DIODO ZENERS

Diferentemente dos diodos comuns de pequeno sinal e retificadores, o

diodo Zener foi otimizado para trabalhar na região de ruptura[2]. Essa característica é
obtida durante o processo de dopagem que controla a região Zener. Isso significa que
o aumento do número de impurezas adicionadas ao material, diminui o potencial
Zener. Logo, é mais fácil operar com ele na região de ruptura do que forçar um diodo
comum alcançar o potencial Zener.

67
 Figura 4.7.1: Comparação de curvas características de um diodo Zener e um diodo comum

Outra qualidade importante e foco deste experimento, é a utilização

desse dispositivo como um regulador de tensão. O Zener consegue manter uma
tensão de saída constante independente da variação de corrente elétrica que passa
por ele[3]. Dessa forma, é possível analisar a Figura 4.7.1 e discutir o comportamento
esperado para a verificação a seguir.

Figura 4.7.2: Esquemático para o experimento de Diodo Zener[2]

A partir da Figura 4.7.2, nota-se que o Zener está em paralelo com uma
resistência variável. Portanto, existe uma divisão de corrente elétrica entre D 2 e R2
que está sujeita a variações à medida que R2 mude seu valor. Porém, como foi
introduzido anteriormente, o valor da tensão em cima deles não pode mudar mesmo
que a demanda de corrente elétrica em R2 aumente ou diminua. Posto isso, a
montagem do circuito foi realizada conforme a Figura 4.7.2.

68
 Figura 4.7.3: Montagem do circuito para o experimento

Figura 4.7.4: Visão geral da montagem

As etapas em seguida foram definidas para três valores de R2. As

medidas foram feitas para a tensão elétrica em R2 e para a corrente elétrica no diodo
Zener.

69
● R2 = 10 kΩ

Figura 4.7.5: Medição da tensão de 6,82 V sobre R2

Figura 4.7.6: Medição da corrente de 12 mA sobre D2

● R2 = 1 kΩ

Figura 4.7.7: Medição da tensão de 6,77 V sobre R2

70
 Figura 4.7.8: Medição da corrente 3,75 mA sobre D2

● R2 = 100 Ω

Figura 4.7.9: Medição da tensão de 1,352 V sobre R2

Figura 4.7.10: Medição da corrente 1,25 mA sobre D2

Nota-se que para os dois primeiros valores de R2, as medições

indicaram um valor próximo de tensão. Isso parece familiar, porque a intensidade de
corrente variou entre as duas medições. De fato, é familiar, já que o Zener está agindo
como um limitador de tensão discutido anteriormente. Logo, em ambas as situações
ele está conduzindo e, por isso, a tensão em cima da carga não sofre mudança
considerável.

71
 Todavia, algo parece errado quando a resistência vale 100 Ω. O diodo
Zener deveria manter a tensão constante por volta dos 6,80 V independente da
variação de corrente elétrica, mas a tensão caiu para 1,352 V. A explicação para isso
está no baixo valor de resistência assumido por R2, que força o fluxo de elétrons a
passar quase exclusivamente pela carga. Dessa forma, o diodo para de funcionar
como um limitador de tensão.

72
5 CONCLUSÃO

Portanto, de acordo com os resultados apresentados, os experimentos foram

um sucesso. Todas as possíveis incongruências foram justificadas sem desrespeitar
nenhuma premissa estabelecida. Assim, os principais pontos foram citados a seguir:
Os experimentos 4.2 e 4.3 comprovaram o princípio de funcionamento de um
diodo tanto para polarização direta, quanto para polarização reversa. Além de
justificar a diferença notável entre a curva gerada para medição e o formato de curva
previsto pela teoria.
Já o experimento 4.4 verificou o uso do diodo para limitar a tensão de saída de
um circuito, enquanto o experimento 4.7 aprofundou essa introdução com a aplicação
do diodo Zener como regulador de tensão. Ambos obtiveram êxito, já que todos os
sinais de saída para a condição de condução dos diodos foram limitados.
Por fim, o experimento 4.5 serviu de base para o desenvolvimento do
experimento 4.6. O primeiro comprovou sem avarias o processo de retificação de
onda em que o ripple é máximo, para então, o segundo eliminar esse ruído na
ondulação por meio de um filtro capacitivo na construção de uma fonte AC~DC.

73
6 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] BOYLESTAD, R., NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos, 11a ed., Prentice-Hall do Brasil, 2013.

[2] MALVINO, Albert P. e BATES, David J. Eletrônica: Volume 1. 8. ed. Porto

Alegre: AMGH, 2016.

[3] Procedimentos de Laboratórios de Eletrônica. Disponível em:

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