DISCIPLINA:

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
3º ANO
LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELÉCTRICA

AULA 1 DIODO – 2021

DIODO DE POTÊNCIA
2.4 MODO/ESTADO DE OPERAÇÃO E ESPECIFICAÇÕES

Interruptores

INTERESSA CONHECER
 Características de condução
 Características de bloqueio
 Características de comutação
 Métodos de disparo/controle
 PARÂMETROS CARACTERÍSTICOS DOS
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA

TENSÃO INVERSA

TENSÃO QUE O DISPOSITIVO DEVE PODER BLOQUEAR SEM

DANIFICAR-SE
• VRRM : TENSÃO INVERSA DE PICO REPETITIVO (MAXIMUM
REPETITIVE PEAK REVERSE VOLTAGE)
• VRSM: TENSÃO INVERSA DE PICO NÃO REPETITIVO ( MAXIMUM
NON REPETITIVE REVERSE VOLTAGE)
 TENSÃO DIRECTA
QUEDA DE TENSÃO EM CONDUÇÃO
VF: Forward voltage
TAMBÉM APARECE COMO: VD, VCEsat.....
 CORRENTE DIRECTA
• VALOR MÉDIO : IF(Avg) Average Foward Current
• VALOR EFICAZ : IF(RMS) RMS Current
• VALOR PICO REPETITIVO: IFRM Maximum Repetitive Peak Forward
Current
• VALOR PICO NÃO REPETITIVO: IFSM Maximum Non Repetitive Peak
Forward Current
 OUTROS LIMITES
• POTÊNCIA MÁXIMA
• TEMPERATURA MÁXIMA
• AVALANCHE SECUNDÁRIA
ÁREA SEGURA DE OPERAÇÃO
Avalanche
Secundária

Potência
máxima

SOA: Safe operating area

 FREQUÊNCIA DE COMUTAÇÃO
RAPIDEZ DE UM DISPOSITIVO DE COMUTAR DE UM ESTADO PARA OUTRO
É LIMITADA POR:
CAPACIDADES PARASITAS
 INDUTÂNCIAS PARASITAS
DIFUSÃO DE PORTADORES
PERDAS INCIDENTAIS, SOBRETUDO DE COMUTAÇÃO
2.5 DÍODOS DE POTÊNCIA
2.5.1 INTRODUÇÃO
OS DIODOS DE POTÊNCIA:

 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES MAIS SIMPLES

UTILIZADOS EM APLICAÇÕES DA ELECTRÓNICA
DE POTÊNCIA;

 UTILIZADOS PRINCIPALMENTE EM
RECTIFICADORES NÃO-CONTROLADOS E EM
CIRCUITOS DE RETORNO A FIM DE FORNECER
UMA PASSAGEM PARA O FLUXO DE CORRENTE
EM CARGAS INDUCTIVAS.
EM TERMOS CONSTRUTIVOS E DE OPERAÇÃO:

 OS DIODOS DE POTÊNCIA SÃO SIMILARES AOS

DIODOS DE SINAL DE JUNÇÃO PN.

 PORÉM, OS DIODOS DE POTÊNCIA TÊM

MAIORES CAPACIDADES DE POTÊNCIA, TENSÃO
E CORRENTE QUE OS DIODOS COMUNS DE
SINAL.

 A RESPOSTA EM FREQUÊNCIA (OU VELOCIDADE

DE COMUTAÇÃO) É BAIXA SE COMPARADA À
DOS DIODOS DE SINAL.
A FIGURA 2.1 MOSTRA A ESTRUTURA E SÍMBOLO DE UM DIODO.
A SETA NO SÍMBOLO DE DIODO MOSTRA A DIRECÇÃO DO FLUXO
DA CORRENTE CONVENCIONAL NO ESTADO DE CONDUÇÃO.

O DIODO TEM DOIS

TERMINAIS: UM TERMINAL
ÂNODO A (NA JUNÇÃO P) E
UM TERMINAL CÁTODO K (NA
JUNÇÃO N).

Figura 2.1 Estrutura (a) e símbolo (b) de

um diodo
 OS DIODOS DE POTÊNCIA SÃO NORMALMENTE FABRICADOS COM O
SILÍCIO PARA PODER APROVEITAR SUA MAIOR TEMPERATURA DE
TRABALHO (CERCA DE 140°C), AS MENORES CORRENTES REVERSAS COM
RELAÇÃO AO GERMÂNIO E AS MAIORES TENSÕES DISRUPTIVAS.

 OS DIODOS DE POTÊNCIA DO GERMÂNIO, UTILIZAM-SE SOMENTE EM

APLICAÇÕES QUE REQUEIRAM UMA ALTA EFICIÊNCIA DEVIDO ÀS ALTAS
CORRENTES DE TRABALHO. DESTA FORMA SE APROVEITA A BAIXA QUEDA DE
TENSÃO EM SENTIDO DIRETO DESTE DISPOSITIVO (0.4 - 0.5 V).

 A JUNÇÃO É NORMALMENTE FORMADA POR FUSÃO, DIFUSÃO E CRESCIMENTO

EPITAXIAL. AS TÉCNICAS DE CONTROLE MODERNAS EM DIFUSÃO E PROCESSOS
EPITAXIAIS PERMITEM OBTER AS CARACTERÍSTICAS DESEJADAS DO DISPOSITIVO.
2.5.2 CURVAS CARACTERÍSTICAS DOS DIODOS
A FIGURA 2.2 MOSTRA AS CARACTERÍSTICAS V-I DE UM DIODO.

Figura 2.2 Características V-I de um diodo

 • OS DÍODOS CARACTERIZAM-SE PELA EQUAÇÃO SEGUINTE:

 qV K T 
I  I S  e  1 
 
Onde IS é a corrente de fuga ou de saturação, tipicamente na faixa
de 10-6 a 10-15A ; q é a carga do electrão 1,6022x10-19 C , V é a
tensão do díodo com o anodo positivo em relação ao catodo em V,
K = nk, k e constante de Boltzmann=1,3806x10-23J/K, n constante
empírica conhecida como coeficiente de emissão ou factor de
idealidade, cujo valor varia de 1 a 2, e T a temperatura absoluta em
gradus Kelvin (K = 273 + C)
 REGIÃO DE POLARIZAÇÃO DIRECTA
• QUANDO O POTENCIAL DE ANODO É POSITIVO EM RELAÇÃO
AO CÁTODO, DIZ-SE QUE O DIODO ESTÁ DIRECTAMENTE
POLARIZADO E PERMITE CONDUÇÃO.
• O DIODO COMEÇA A CONDUZIR NO MOMENTO EM QUE A
TENSÃO NO ÂNODO (EM RELAÇÃO AO CÁTODO) AUMENTA.
• QUANDO A TENSÃO SE APROXIMA DA CHAMADA TENSÃO DE
LIMIAR (DO INGLÊS THRESHOLD VOLTAGE) OU TENSÃO DE
CORTE (DO INGLÊS CUT-IN VOLTAGE) OU TENSÃO DE LIGAÇÃO
(DO INGLÊS TURN-ON VOLTAGE), QUE É TIPICAMENTE DE 0.7 V
PARA DIODOS DE SILÍCIO, UM LIGEIRO ACRÉSCIMO FARÁ COM
QUE A CORRENTE AUMENTE RAPIDAMENTE. ESSE AUMENTO
SERÁ LIMITADO APENAS PELA INSERÇÃO DE UMA IMPEDÂNCIA
EM SÉRIE COM O DIODO.
• UM DIODO EM CONDUÇÃO TEM UMA QUEDA
DE TENSÃO NO SENTIDO DIRECTO
RELATIVAMENTE PEQUENA ENTRE OS SEUS
TERMINAIS.
• A AMPLITUDE DESSA QUEDA DEPENDE DO
PROCESSO DE FABRICAÇÃO E DA TEMPERATURA
DA JUNÇÃO.
 REGIÃO DE POLARIZAÇÃO INVERSA
• QUANDO O POTENCIAL DE CÁTODO É POSITIVO
EM RELAÇÃO AO ANODO, O DIODO ESTÁ
INVERSAMENTE POLARIZADO.
• SOB CONDIÇÕES DE POLARIZAÇÃO INVERSA,
UMA PEQUENA CORRENTE INVERSA, (TAMBÉM
CONHECIDA COMO CORRENTE DE FUGA, DO
INGLÊS LEAKAGE CURRENT) NA FAIXA DE MICRO,
FLUI À MEDIDA QUE AUMENTA A TENSÃO ENTRE
O ÂNODO E O CÁTODO.
• ESSA CARACTERÍSTICA É MANTIDA COM O AUMENTO
DA TENSÃO INVERSA, ATÉ QUE A TENSÃO DE
RUPTURA (OU TENSÃO DE AVALANCHE, OU TENSÃO
ZENER) SEJA ALCANÇADA.
• NA RUPTURA, O DIODO DEIXA PASSAR UMA
CORRENTE GRANDE, COM ACRÉSCIMOS PEQUENOS
DE TENSÃO.
• DEVE-SE TAMBÉM UTILIZAR, AQUI, UMA IMPEDÂNCIA
LIMITADORA DE CORRENTE, EM SÉRIE COM O DIODO,
PARA EVITAR QUE O DIODO SEJA COMPLETAMENTE
DANIFICADO.
 REGIÃO DE RUPTURA REVERSA.

• NA REGIÃO DE RUPTURA INEVERSA (DO INGLÊS BREAKDOWN

REGION) A TENSÃO INVERSA É MUITO ALTA, NORMALMENTE
MAIOR QUE 1000 VOLTS
• QUANDO A AMPLITUDE DA TENSÃO INVERSA EXCEDE A
TENSÃO DE RUPTURA INVERSA, A CORRENTE INVERSA
AUMENTA RAPIDAMENTE.
• A OPERAÇÃO NA REGIÃO DE RUPTURA INVERSA NÃO SERÁ
DESTRUTIVA SE A DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA ESTIVER DENTRO
DE UM "NÍVEL SEGURO", QUE É ESPECIFICADO PELAS FOLHAS
DE DADOS DO FABRICANTE. ENTRETANTO, É SEMPRE
NECESSÁRIO LIMITAR A CORRENTE INVERSA NA REGIÃO DE
RUPTURA INVERSA PARA LIMITAR A DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA
A UM VALOR PERMISSÍVEL
2.5.3 CURVAS CARACTERÍSTICAS DE RECUPERAÇÃO INVERSA
A CORRENTE NA JUNÇÃO DIRECTAMENTE POLARIZADA DO DIODO
DEVE-SE AO EFEITO DOS PORTADORES MAIORITÁRIOS E MINORITÁRIOS.
UMA VEZ O DIODO ESTAR NO MODO DE CONDUÇÃO DIRECTA E
DEPOIS A SUA CORRENTE DIRECTA SER REDUZIDA A ZERO (EM FUNÇÃO
DO COMPORTAMENTO NATURAL DO CIRCUITO DO DIODO OU PELA
APLICAÇÃO DE TENSÃO INVERSA), O DIODO CONTINUARÁ
CONDUZINDO DEVIDO AOS PORTADORES MINORITÁRIOS QUE
PERMANECEM ARMAZENADOS NA JUNÇÃO PN E NO MATERIAL
SEMICONDUTOR PROPRIAMENTE DITO.
OS PORTADORES MINORITÁRIOS REQUEREM UM CERTO TEMPO PARA
RECOMBINAR COM AS CARGAS OPOSTAS E SER NEUTRALIZADOS. ESSE
TEMPO É CHAMADO TEMPO DE RECUPERAÇÃO INVERSO (DO INGLÊS
REVERSE RECOVERY TIME) DO DIODO.
A FIGURA 2.3 MOSTRA DUAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE
RECUPERAÇÃO INVERSA DE DIODOS DE JUNÇÃO.

FIGURA 2.3 CURVAS CARACTERÍSTICAS DA RECUPERAÇÃO REVERSA

 O TIPO DE RECUPERAÇÃO SUAVE (DO INGLÊS SOFT-RECOVERY) É MAIS COMUM.

 O TEMPO DE RECUPERAÇÃO INVERSA É DENOTADO POR trr E É MEDIDO A PARTIR

DO CRUZAMENTO INICIAL COM O ZERO DA CORRENTE DO DIODO ATÉ 25% DA
CORRENTE INVERSA MÁXIMA (OU DE PICO), IPP.

 O trr CONSISTE DE DOIS COMPONENTES, ta E tb. O ta DEVE-SE AO

ARMAZENAMENTO DE CARGAS NA REGIÃO DE DEPLEÇÃO DA JUNÇÃO E
REPRESENTA O TEMPO ENTRE O CRUZAMENTO COM O ZERO E O PICO DA
CORRENTE REVERSA, IRR.

 O tb DEVE-SE AO ARMAZENAMENTO DE CARGAS NO MATERIAL SEMICONDUCTOR.

A RELAÇÃO tb / ta É CONHECIDA COMO FATOR DE SUAVIDADE (DO INGLÊS
SOFTNESS FACTOR - SF).
 ESTRUTURA INTERNA BÁSICA DE UM DIODO
SEMICONDUTOR (junção P-N) – REGIÃO DE DEPLEÇÃO
O TEMPO DE RECUPERAÇÃO INVERSO trr PODE SER DEFINIDO COMO
O INTERVALO DE TEMPO ENTRE O INSTANTE EM QUE A CORRENTE
PASSA PELO ZERO, DURANTE A MUDANÇA DA CONDIÇÃO DE
CONDUÇÃO DIRECTA PARA O BLOQUEIO INVERSO, E O MOMENTO
EM QUE A CORRENTE INVERSA DECAIU 25% DO SEU VALOR DE PICO
IRR.
O trr É DEPENDENTE DA TEMPERATURA DA JUNÇÃO, DA TAXA DE
DECAIMENTO DA CORRENTE DIRECTA E DA CORRENTE DIRECTA
ANTES DA COMUTAÇÃO.
A CARGA DE RECUPERAÇÃO REVERSA QRR É A QUANTIDADE DE
PORTADORES DE CARGAS QUE FLUEM ATRAVÉS DO DIODO NO
SENTIDO INVERSO DEVIDO À MUDANÇA NA CONDIÇÃO DE
CONDUÇÃO DIRECTA PARA BLOQUEIO INVERSO.
 2.5.4 TIPOS DE DIODOS DE POTÊNCIA
IDEALMENTE UM DIODO NÃO DEVE TER TEMPO DE RECUPERAÇÃO
INVERSA.
ENTRETANTO, O CUSTO DE FABRICAÇÃO DE TAL DIODO SERIA MAIOR.
EM MUITAS APLICAÇÕES, OS EFEITOS DO TEMPO DE RECUPERAÇÃO
INVERSA NÃO SERÃO SIGNIFICATIVOS E DIODOS MAIS BARATOS
PODERÃO SER UTILIZADOS.
DEPENDENDO DAS CARACTERÍSTICAS DE RECUPERAÇÃO E DAS
TÉCNICAS DE FABRICAÇÃO, OS DIODOS DE POTÊNCIA PODEM SER
CLASSIFICADOS EM TRÊS CATEGORIAS:
 DIODOS PADRÃO OU GENÉRICOS;
 DIODOS DE RECUPERAÇÃO RÁPIDA E
 DIODOS SCHOTTKY.
GENÉRICOS. SÃO FORNECIDOS PARA ATÉ 300V, 3500A
ALTA VELOCIDADES (OU ALTA RECUPERÇÃO). A FAIXA
PODE IR ATÉ 3000V,1000 A. TEMPO DE RECUPERAÇÃO
REVERSA ENTRE 0,1-5s. FUNDAMENTAIS PARA O
COMUTAÇÃO EM ALTA FREQUÊNCIA DOS
CONVERSORES DE POTÊNCIA.
SCHOTTKY. LIMITADOS A 100V, 300A. BAIXA QUEDA DE
TENSÃO EM SENTIDO DIRETO E TEMPO DE
RECUPERAÇÃO DA ORDEM DE NANOSEGUNDOS (ns).
2.5.4.1 DÍODOS GENÉRICOS
• OS DIODOS RETIFICADORES GENÉRICOS TÊM TEMPO DE RECUPERAÇÃO
INVERSA RELATIVAMENTE ALTO, EM GERAL 25 ps.
• SÃO UTILIZADOS EM APLICAÇÕES DE BAIXA VELOCIDADE, EM QUE O
TEMPO DE RECUPERAÇÃO INVERSA NÃO É CRÍTICO (POR EXEMPLO, EM
RETIFICADORES E CONVERSORES COM DIODOS PARA UMA BAIXA
FREQÜÊNCIA DE ENTRADA DE ATÉ 1 KHZ E CONVERSORES COMUTADOS
PELA REDE).
• COBREM FAIXAS DE CORRENTES DE MENOS DE 1 A ATÉ VÁRIOS MILHARES
DE AMPÈRES, COM FAIXAS DE TENSÕES DE 50 V A APROXIMADAMENTE 5
KV.
• SÃO GERALMENTE FABRICADOS POR DIFUSÃO.
2.5.4.2 DIODOS DE RECUPERAÇÃO RÁPIDA
 TEMPO DE RECUPERAÇÃO NORMALMENTE MENOR QUE 5 ps.

 SÃO USADOS EM CIRCUITOS CONVERSORES DE CC-CC E CC-CA, EM QUE A

VELOCIDADE DE RECUPERAÇÃO É SEMPRE DE IMPORTÂNCIA CRÍTICA.

 COBREM FAIXAS DE CORRENTES DE MENOS DE 1 A ATÉ CENTENAS DE AMPÈRES, COM

ESPECIFICAÇÕES DE TENSÕES DE 50 V A APROXIMADAMENTE 3 KV.

 PARA ESPECIFICAÇÕES DE TENSÕES ACIMA DE 400 V, OS DIODOS DE RECUPERAÇÃO

RÁPIDA SÃO FEITOS POR DIFUSÃO E O TEMPO DE RECUPERAÇÃO INVERSA É
CONTROLADO PELA DIFUSÃO DE PLATINA OU OURO.

 PARA ESPECIFICAÇÕES DE TENSÕES ABAIXO DE 400 V, OS DIODOS EPITAXIAIS

FORNECEM VELOCIDADES DE COMUTAÇÃO MAIS RÁPIDAS QUE AS DOS DIODOS
DIFUNDIDOS.

 OS DIODOS EPITAXIAIS TÊM UMA LARGURA DE BASE ESTREITA, RESULTANDO EM UM

TEMPO DE RECUPERAÇÃO RÁPIDO, NA ORDEM DE 50 ps.
2.5.4.3 DIODOS SCHOTTKY
O PROBLEMA DO ARMAZENAMENTO DE CARGAS EM UMA JUNÇÃO PN
PODE SER ELIMINADO (OU MINIMIZADO) EM UM DIODO SCHOTTKY.
ISTO É OBTIDO FAZENDO-SE UMA "BARREIRA DE POTENCIAL" COM UM
CONTACTO ENTRE UM METAL E UM SEMICONDUTOR.
UMA CAMADA DE METAL É DEPOSITADA EM UMA FINA CAMADA EPITAXIAL
DE SILÍCIO DO TIPO N. A BARREIRA DE POTENCIAL SIMULA O
COMPORTAMENTO DA JUNÇÃO PN. A AÇÃO DE RETIFICAÇÃO DEPENDE
APENAS DOS PORTADORES MAIORITÁRIOS, E COMO RESULTADO NÃO HÁ
PORTADORES MINORITÁRIOS EM EXCESSO PARA SE RECOMBINAREM. O
EFEITO DE RECUPERAÇÃO DEVE-SE UNICAMENTE À CAPACITÂNCIA PRÓPRIA
DA JUNÇÃO SEMICONDUTORA.
• A CARGA RECUPERADA DO DIODO SCHOTTKY É MUITO MENOR DO QUE A DE UM DIODO DE JUNÇÃO
PN EQUIVALENTE. VISTO QUE ELA SE DEVE APENAS À CAPACITÂNCIA DA JUNÇÃO,

• UM DIODO SCHOTTKY TEM UMA QUEDA DE TENSÃO NO SENTIDO DIRETO RELATIVAMENTE BAIXA.

• A CORRENTE DE FUGA DE UM DIODO SCHOTTKY É MAIOR QUE A DE UM DIODO DE JUNÇÃO PN.

• UM DIODO SCHOTTKY COM TENSÃO DE CONDUÇÃO RELATIVAMENTE BAIXA TEM CORRENTE DE FUGA
RELATIVAMENTE ALTA E VICE-VERSA. COMO RESULTADO, SUA MÁXIMA TENSÃO DISPONÍVEL É
GERALMENTE LIMITADA A 100 V.

• AS ESPECIFICAÇÕES DE CORRENTE DOS DIODOS SCHOTTKY VARIAM DE 1 A 300 A.

• OS DIODOS SCHOTTKY SÃO IDEAIS PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO CC DE ALTAS CORRENTES E BAIXAS
TENSÕES. ENTRETANTO, ELES TAMBÉM SÃO UTILIZADOS EM FONTES DE ALIMENTAÇÃO DE BAIXA
CORRENTE PARA AUMENTAR SUA EFICIÊNCIA.
CARACTERÍSTICAS DE TENSÃO-CORRENTE
DIODO IDEAL EM SERIE
COM UMA FONTE DE
DIODO IDEAL EM SERIE TENSÃO E COM A
DIODO IDEAL COM UMA FONTE DE RESISTÊNCIA DO
TENSÃO DIODO EM CONDUÇÃO

CURTOCIRCUITO Pd  V D I Dmedia Pd  V D I Dmedia  rd I D2 ,ef

A característica ideal indica que é um condutor perfeito quando está
polarizado diretamente e um condutor aberto em sentido inverso