Centro Universitário Una

Capítulo 2:
Imperfeições nos Sólidos

Disciplina: Ciência dos Materiais

Profa.: Maria Fernanda Lousada

Maria.lousada@prof.una.br

Chapter 4 - 1
 Diagrama esquemático mostrando a localização do
conversor catalítico no sistema de exaustão de um
automóvel.

Diagrama esquemático de um conversor catalítico.

Monólito cerâmico sobre o qual o substrato catalítico metálico é

depositado.

MET de alta resolução que mostra os defeitos de

superfície em monocristais de uma material usado
em conversores catalíticos.

Chapter 4 - 2
 Imperfeições nos Sólidos

• Solidificação - resulta da moldagem do material fundido.

– Duas etapas
• Formação de núcleos.
• Crescimento dos núcleos para formação dos cristais- estrutura de grãos.
• Inicia com o material fundido – completamente líquido

núcleos Crescimento dos Estrutura de grãos

líquido cristais Adapted from Fig.4.14 (b), Callister 7e.

• Os cristais crescem até se encontrarem.

Chapter 4 - 3
 Materiais Policristalinos
Contorno de Grão
• Regiões entre os cristais.
• Transição da rede de uma
região para outra.
• Ligeiramente desordenado.
• Baixa densidade nos
contornos de grãos.
– Alta mobilidade, difusividade
e alta reatividade química.

Adapted from Fig. 4.7, Callister 7e.

Chapter 4 - 4
 Solidificação
Os grãos podem ser:
- Equiaxiais (~ o mesmo tamanho em todas as direções).
- Colunares (grãos alongados).
~ 8 cm

heat
Fluxo
de flow
calor

Shell of
Columnar in equiaxed grains
area with less due to rapid
undercooling cooling (greater
T) near wall
Adapted from Fig. 4.12, Callister 7e.

Refinador de grão - adicionado para formar grãos menores, mais uniformes e

equiaxiais.
Chapter 4 - 5
 Imperfeições em Sólidos
O sólido ideal não existe, todos os materiais contêm grandes
números de uma variedade de defeitos ou imperfeições.

• A maioria das propriedades dos materiais são influenciadas

pela presença de imperfeições.

• Os defeitos exercem um papel importante na difusão,

transformação de fase e deformação dos materiais.

• Existem em todos os metais puros e ligas, monofásicos e

polifásicos, brutos ou processados.

Por defeito cristalino designamos uma irregularidade na rede cristalina

com uma ou mais das suas dimensões na ordem do diâmetro atômico.
Chapter 4 - 6
 Tipos de Imperfeições

• Lacunas e Autointersticiais
• Átomo intersticial (impureza) Defeitos pontuais
• Átomo substitucional (impureza)
• Discordâncias aresta Discordâncias
• Discordâncias espiral Defeitos lineares
• Discordância mista

• Superfícies externas
• Contorno de fases
• Falhas de empilhamento Defeitos interfaciais
• Contorno de grão
• Contorno de macla ou twin Chapter 4 - 7
 Defeitos Pontuais
• Lacunas ou Vacâncias:
- sítios atômicos vagos na estrutura.

Vacância São formados durante a

solidificação do cristal e
(vazio) processamento
distorção dos materiais - resultado do
do plano deslocamento dos átomos
de suas posições normais
(vibrações)
• Autointersticial:
- átomo do cristal que se encontra comprimido no interior de um
sítio intersticial, um pequeno espaço vazio que normalmente não
é ocupado.
Auto-
intersticial
distorção
do plano
Chapter 4 - 8
 Defeitos Pontuais
• Todos os sólidos cristalinos contêm lacunas e, na realidade,
não é possível criar um material que esteja livre desse tipo
de defeito.

• A formação do defeito autointersticial, não é muito provável e

ele existe somente em concentrações muito reduzidas, que
são significativamente menores que
as exibidas pelas lacunas.

Nos metais, um autointersticial introduz

distorções relativamente grandes em sua
vizinhança na rede cristalina, pois o átomo é
substanciamente maior que a posição intersticial
onde ele está localizado.
Chapter 4 - 9
 Número de Vazios em Equilíbrio
Defeitos Pontuais
• O número de lacunas em equilíbrio varia com a temperatura!
Energia necessária para
Nº de lacunas formação de uma lacuna
em equilíbrio
-Q 
= exp  
Nv
 v 
Nº total de
N  k T  Temperatura absoluta
sítios atômicos em kelvin
Constante de Boltzmann
(1,38 x 10 -23 J/átomo.K)
(8,62 x 10 -5 eV/átomo.K)
Cada sítio da rede
é um sítio potencial Para a maioria dos metais, a fração de lacunas Nv/N em uma T
para formação da
imediatamente < à sua T.F. é da ordem de 10-4; ou seja, um sítio
lacuna.
em cada 10.000 sítios da rede encontar-se vazio.
Chapter 4 - 10
 Medindo a Energia de Ativação

• Podemos obter Qv a partir -Q 

Nv
= exp 
 v 

de um experimento. N  k T 

Nv inclinação
Nv ln
N
-Qv /k
N
dependência
exponencial
1/ T
T A partir de um gráfico experimental
de ln Nv/N versus 1/T é possível
Concentração de defeitos determinar a energia de ativação.
(fração de lacunas)
Chapter 4 - 11
Estimativa da Concentração de Lacunas
• Calcule o nº de lacunas em equilíbrio por m3 de Cobre a uma
temperatura de 1000C.
• Dados:
r = 8,4 g /cm 3 A Cu = 63,5 g/mol
Qv = 0,9 eV/átomo NA = 6,02 x 1023 átomos/mol
0,9 eV/átomo
-Q 
exp  
Nv =
 v = 2,7 x 10-4
N  k T 
1273K
8,62 x 10-5 eV/átomo-K
NA
Para 1 m3, N= r x x 1 m3 = 8,0 x 1028 átomos/m3
A Cu
1m3 = 106 cm3
• Resposta:
Nv = (2,7 x 10-4)(8,0 x 1028) sítios = 2,2 x 1025 lacunas/m3
Chapter 4 - 12
 Defeitos Pontuais em Ligas
Dois resultados de impurezas (B) adicionados ao hospedeiro (A):
• Solução sólida de B em A (ex., distribuição aleatória de defeitos pontuais)

Os átomos do Os átomos de
soluto ou átomos impureza
de impurezas OU preenchem os
tomam o lugar espaços vazios
dos átomos ou interstícios
hospedeiros ou que existem
os substituem. Solução sólida Solução sólida
entre os átomos
Substitucional Intersticial hospedeiros.
(ex., Cu em Ni) (ex., C em Fe)

• Solução sólida de B em A mais partículas de uma nova fase

(usualmente para grandes quantidades de B)

Nova segunda fase de partículas

--composição diferente.
--normalmente estruturas diferentes. Chapter 4 - 13
 Imperfeições em Sólidos
Fatores que influenciam na formação de solução sólida
substitucional (grau de solubilidade):
• Regra de Hume-Rothery

- 1. Fator do tamanho atômico: diferença de raio atômico dos dois tipos de

átomos deve ser menor que aproximadamente 15%.
De outra forma, os átomos podem promover distorções na rede e assim formação
de nova fase.
- 2. Estrutura cristalina: ter a mesma estrutura cristalina, para que a solubilidade
sólida seja apreciável.
- 3. Eletronegatividade: eletronegatividades próximas.
Maior diferença de eletronegatividade dos átomos maior tendência de formar
compostos intermetálicos.
- 4. Valências: Mesma ou maior valência que o hospedeiro.
Sendo iguais os demais fatores, um metal terá maior tendência de dissolver um
outro metal de maior valência do que um de menor valência. Chapter 4 - 14
 Imperfeições em Sólidos
Aplicação da regra de Hume–Rothery – Soluções
sólidas
Elemento Raio Estrutura Eletrone- Valência
atômico cristalina gativi-
(nm) dade
1. Quem dissolveria Cu 0.1278 CFC 1.9 +2
C 0.071
mais no Zn, o Al H 0.046
O 0.060
ou a Ag? Ag 0.1445 CFC 1.9 +1
Al 0.1431 CFC 1.5 +3
Co 0.1253 HC 1.8 +2
Cr 0.1249 CCC 1.6 +3
2. Mais Zn ou Al Fe 0.1241 CCC 1.8 +2
Ni 0.1246 CFC 1.8 +2
no Cu? Pd
Zn
0.1376
0.1332
CFC
HC
2.2
1.6
+2
+2
R = soluto - solvente x100 Table on p. 106, Callister 7e.

solvente Chapter 4 - 15
 Imperfeições em Sólidos
• Especificação da composição
m1
- Porcentagem em peso (%p) C1 = x 100
m1  m2
m1 e m2 = massa dos elementos 1 e 2

nm1
- Porcentagem atômica (%a) C =
'
x 100
nm1  nm 2
1

nm1 = número de moles do componente 1

Chapter 4 - 16
 Defeitos Lineares
Discordâncias:
• são defeitos lineares em torno do qual alguns átomos estão
desalinhados.
• escorregamento entre os planos cristalinos resulta quando se
move as discordâncias.
• produz uma deformação permanente (plástica).
Estão associadas com a cristalização do material, deformação plástica (maior ocorrência) e
como consequência das tensões térmicas resultantes de um resfriamento rápido, podendo ser
uma linha adicional ou a ausência de uma linha de átomos.

Esquema do zinco (HC): • após ensaio de tração

• antes da deformação
escorregamentos

Chapter 4 - 17
Adapted from Fig. 7.8, Callister 7e.
 Imperfeições em Sólidos
Defeitos lineares (Discordâncias)

• Discordância aresta, linha ou cunha ():

- Defeito associado com a distorção produzida no reticulado
cristalino pela presença de um semi-plano extra de átomos.
- Vetor de Burgers (b) são perpendiculares para este tipo de defeito.

• Discordância espiral ou hélice:

- Defeito associado com a distorção criada no reticulado
cristalino em consequência da tensão cisalhante
que é aplicada para produzir a distorção mostrada.
- Vetor de Burgers (b) são paralelos.

Vetor de Burgers (b): expressa a magnitude e

a direção da distorção da rede cristalina Chapter 4 - 18
 Imperfeições em Sólidos
Discordância aresta
- Envolve um plano extra de átomos.

- O vetor de Burges é perpendicular

a direção da linha de discordâncias.

- Envolve zonas de compressão e

tração.
Fig. 4.3, Callister 7e.

Chapter 4 - 19
 Imperfeições em Sólidos
Linha AB → linha da discordância
Discordância espiral: produz - posição dos átomos acima do plano
distorções na rede. de escorregamento → círculos abertos
- abaixo → círculos fechados
Screw Dislocation

b
Linha de
discordância (b)
Vetor de Burgers b
(a)
Paralelo à direção da Adapted from Fig. 4.4, Callister 7e.
linha de discordância

Monocristal de SiC - Linhas escuras: Chapter 4 - 20

degraus de escorregamento superficiais
 Aresta, Espiral, e Discordâncias Mistas
A maioria das discordâncias encontradas nos materiais cristalinos não são puramente
aresta nem puramente espiral, mas exibirão components de ambos os tipos.

Mistas

A
aresta
A → discordância pura espiral
B → discordância pura aresta
Adapted from Fig. 4.5, Callister 7e.
espiral entre A e B → discordância mista

Chapter 4 - 21
 Imperfeições em Sólidos
As discordâncias são visíveis na micrografia eletrônica de
transmissão (MET – 51.450x) de uma liga de titânio.

As linhas escuras são

as discordâncias.

Adapted from Fig. 4.6, Callister 7e. Chapter 4 - 22

 Discordâncias e Estruturas Cristalinas
Vista de dois planos
• Estrutura: são preferidos compactos.
direções e planos compactos.

direções compactas
plano compactado (de baixo) plano compactado (de cima)

• Comparação entre estruturas cristalinas Planos de

CFC: muitos planos e direções compactos escorregamento
HC: somente um plano, e três direções preferencial
CCC: nenhum
• Amostras usadas Mg (HC)
em teste de tração
direção de tensão
Al (CFC)
Chapter 4 - 23
 Defeitos Interfaciais
• “Defeitos Interfaciais” são contornos que possuem duas
dimensões e que normalmente separam regiões dos materiais
que possuem estruturas cristalinas e/ou orientações
cristalográficas diferentes.

• Essas imperfeições incluem:

- Superfícies externas
- Contorno de fases: existem em materiais com múltiplas fases, através dos
quais há uma mudança repentina nas características físicas e/ou químicas.
- Falhas de empilhamento
- Contornos de grão
- Contornos de macla ou twin

Chapter 4 - 24
 Defeitos Interfaciais em Sólidos
• Superfícies externas: é o tipo
mais óbvio, ao longo do qual
termina a estrutura do cristal.
• Os átomos da superfície não
estão ligados ao nº máximo
de vizinhos mais próximos,
isso implica num estado
energético maior que no
interior do cristal.
• Falha de empilhamento:
encontradas em metais CFC
quando existe uma interrupção
na seqüência de empilhamento
ABCABCABC...
Chapter 4 - 25
 Defeitos Interfaciais em Sólidos
Contornos de grãos

• Materiais policristalinos são formados por monocristais com

diferentes orientações cristalográficas.

• A fronteira entre os monocristais é uma “parede”, que corresponde

a um defeito bidimensional.

• Este defeito refere-se ao contorno que separa dois pequenos

grãos (ou cristais), com diferentes orientações cristalográficas,
presentes num material policristalino.

• No interior do grão todos os átomos estão arranjados segundo um

“único modelo” e “única orientação”, caracterizada pela célula unitária.
Chapter 4 - 26
 Defeitos Interfaciais em Sólidos

Um contorno de grão de baixo ângulo é

formado quando discordâncias aresta são
alinhadas de maneira mostrada ao lado.
Esse contorno é chamado de contorno de
inclinação.
Características:
- Empacotamento menos eficiente.
- Energia mais elevada.
- Favorece a nucleação de novas fases (segregação). Chapter 4 - 27
- Favorece a difusão.
 Defeitos Interfaciais em Sólidos
Contornos de Macla
• Este tipo de contorno, também denominado de “Twins” (cristais gêmeos),
é um tipo especial de contorno de grão, onde existe uma simetria em
“espelho” da rede cristalina.

• Os átomos de um lado do contorno são “imagens” dos átomos do outro

lado do contorno.

Adapted from Fig. 4.9, Callister 7e.

As maclas resultam de deslocamentos atômicos produzidos a partir:

-forças mecânicas de cisalhamento (maclas de deformação).
-tratamentos térmicos de recozimento após deformação (maclas de recozimento). Chapter 4 - 28
 Defeitos Volumétricos ou de Massa
• Defeitos introduzidos durante o processamento do material e/ou
fabricação do componente.

• Tipos de defeitos volumétricos:

- Inclusões: presença de impurezas estranhas.

- Precipitados: aglomerados de partículas com composição diferente da matriz
(hospedeiro).
- Porosidade: origina-se devido a presença de gases, durante o processamento do
material.
- Fases: ocorre quando o limite de solubilidade é ultrapassado.
- Estrias segregacionais: presente principalmente em materiais semicondutores
dopados.

Chapter 4 - 29
 Defeitos Volumétricos ou de Massa
Inclusões

Inclusões de óxido de cobre (Cu2O) em cobre de

alta pureza (99,26%), laminado a frio e recozido a
800ºC.

Precipitados

Precipitados em matriz metálica de Alumínio AA

3104 utilizada para a fabricação de latas.

Chapter 4 - 30
 Defeitos Volumétricos ou de Massa
Porosidade

Exemplo: compactado de pó de ferro,

compactação uniaxial em matriz de duplo
efeito, a 550 MPa.

Exemplo: compactado de pó de ferro após

sinterização a 1150ºC, por 120min em
atmosfera de hidrogênio.

Chapter 4 - 31
 Defeitos Volumétricos ou de Massa
Segunda fase

Micro-estrutura Grão de perlita: é constituído por

composta por veios de lamelas alternadas de duas fases:
grafita sobre uma matriz ferrita (ou ferro-α) e cementita (ou
perlítica. carboneto de ferro).

Chapter 4 - 32
 Exame Microscópico

• Cristalitos (grãos) e contorno de grão. Variam

consideravelmente de tamanho. Podem ser bastante
grandes.
– ex: Um único cristal de quartzo, ou diamante, ou Si.
– ex: Postes de iluminação feitos em Al e latões de lixo –
grãos evidentes a olho nu.

• Cristalitos (grãos) podem ser bastante reduzidos

(mm ou menor) – é necessário observação com um
microscópio.
Chapter 4 - 33
 Microscopia Ótica
• Ampliações de até 2000x.
• Lixamento e polimento das amostras até atingir acabamento liso e
espelhado.
• Revelação da microestrutura por ataque químico.

Grãos polidos e atacados quimicamente

A luz que incide em uma de forma como podem aparecer quando
vistos ao MO.
direção normal à superfície do
grão é refletida por três grãos
diferentes que tiveram as suas
superfícies submetidas a Planos cristalográficos
ataque químico, onde cada
grão possui uma orientação
diferente.
Micrografia de uma
amostra policristalina
Latão (liga de Cu-Zn)
Adapted from Fig. 4.13(b) and (c), Callister
7e. (Fig. 4.13(c) is courtesy
of J.E. Burke, General Electric Co. 0,75mm Chapter 4 - 34
 Microscopia Ótica
Limite de grão...
• são imperfeições;
• são mais susceptíveis ao
ataque;
• podem ser revelados como
linhas escuras;
• muda a orientação cristalina
através do contorno.
Número do
tamanho de grão
(ASTM)
N = 2n-1
Número médio de grãos/in2
a uma ampliação de 100x
superfície polida
Superfície do sulco
Limite de grão
(a)
Adapted from Fig. 4.14(a)
and (b), Callister 7e.
(Fig. 4.14(b) is courtesy
of L.C. Smith and C. Brady,
the National Bureau of
Standards, Washington, DC
[now the National Institute of
Standards and Technology,
Gaithersburg, MD].)
Liga Fe-Cr
(b)
Chapter 4 - 35
Determinação do Tamanho de Grão
 Um número de tamanho de grão elevado indica muitos grãos e
pequenos grãos, o contrário ocorre para um nº de tamanho de grão
pequeno.

Chapter 4 -
36